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美國Polar Semiconductor公司與日本瑞薩電子株式會社（Renesas）近日共同宣布，雙方已達成一項重要戰略協議。根據協議，Polar Semiconductor將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵D型（GaN-on-Si）技術授權，并將在其位于明尼蘇達州的8英寸車規級量產工廠為瑞薩電子及其他客戶提供650V高壓硅基氮化鎵器件的生產服務。 此次合作標志著Polar Semiconductor與瑞薩電子在半導體領域的深度合作邁出了堅實的一步。Polar Semiconductor作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體代工的廠商，擁有深厚的技術積累和豐富的生產經驗。而瑞薩電子則是全球領先的半導體解決方案供應商，在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業知識，提供完整的半導體解決方案。 硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝，具有優異的性能和成本效益。與傳統的橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術相比，硅基氮化鎵技術可提供更高的功率效率、更大的功率密度以及更好的可擴展性，廣泛應用于射頻通信、電源管理、汽車電子等領域。 Polar Semiconductor明尼蘇達州工廠最近完成了最先進的加工和自動化設備的擴建，旨在滿足對下一代半導體解決方案日益增長的需求。該工廠將利用這些先進設備，為瑞薩電子及其他客戶生產高質量的650V高壓硅基氮化鎵器件。 Polar Semiconductor總裁兼首席運營官Surya Iyer表示：“這項許可和商業生產協議強調了我們對加強美國半導體生態系統的承諾。GaN是電源和射頻領域改變游戲規則的技術，與瑞薩電子合作，我們有能力提高商業生產，推動下一波半導體創新。通過此次合作，我們將共同擴大GaN器件的商業生產規模，覆蓋汽車電子、數據中心、工業能源、消費電子及航空航天與國防等關鍵領域。” 瑞薩電子電源產品集團高級副總裁兼總經理Chris Allexandre也對此次合作表示了高度贊賞：“我們很高興與Polar合作，將我們經過驗證的氮化鎵技術擴展到200毫米晶圓，并在廣泛的電源轉換市場中利用我們的專業知識。此次合作確保了美國本土GaN制造能力，并為我們的客戶構建多源供應體系，滿足對高性能電源解決方案日益增長的需求。” |
