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來源：EXPreview SK海力士宣布，已經(jīng)與臺積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），雙方就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術(shù)密切合作。SK海力士計劃與臺積電合作開發(fā)第六代HBM產(chǎn)品，也就是HBM4，預計在2026年投產(chǎn)。 SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級邏輯代工企業(yè)臺積電攜手合作，將會繼續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過以構(gòu)建IC設(shè)計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方技術(shù)合作的方式，公司將實現(xiàn)存儲器產(chǎn)品性能的新突破。” 據(jù)了解，SK海力士和臺積電首先致力于針對搭載于HBM封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片（Base Die）進行性能改善。HBM是將多個DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片上，并通過硅通孔（TSV）技術(shù)進行垂直連接而成。基礎(chǔ)裸片也連接至GPU，起著對HBM進行控制的作用。 SK海力士包括HBM3E（第五代HBM產(chǎn)品）在內(nèi)的HBM產(chǎn)品，都是基于公司自身制程工藝制造了基礎(chǔ)裸片，但HBM4開始會采用臺積電的先進邏輯（Logic）工藝，以便增加更多的功能。SK海力士和臺積電將協(xié)力優(yōu)化SK海力士的HBM產(chǎn)品和臺積電的CoWoS技術(shù)融合，以應相關(guān)客戶對HBM產(chǎn)品的要求。 此外，SK海力士還計劃生產(chǎn)在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定制化（Customized）HBM產(chǎn)品。 |
