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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 
IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。 IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴(少子)，對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。 光電耦合器（optical coupler，英文縮寫為OC）亦稱光電隔離器，簡稱光耦。光電耦合器以光為媒介傳輸電信號。它對輸入、輸出電信號有良好的隔離作用，所以，它在各種電路中得到廣泛的應用。目前它已成為種類較多、用途較廣的光電器件之一。 在光電耦合器輸入端加電信號使發光源發光，光的強度取決于激勵電流的大小，此光照射到封裝在一起的受光器上后，因光電效應而產生了光電流，由受光器輸出端引出，這樣就實現了電一光一電的轉換。 光電耦合器主要由三部分組成：光的發射、光的接收及信號放大。光的發射部分主要由發光器件構成，發光器件一般都是發光二極管，發光二極管加上正向電壓時，能將電能轉化為光能而發光，發光二極管可以用直流、交流、脈沖等電源驅動，但發光二極管在使用時必須加正向電壓。光的接收部分主要由光敏器件構成，光敏器件一般都是光敏晶體管，光敏晶體管是利用PN結在施加反向電壓時，在光線照射下反向電阻由大變小的原理來工作的。
推薦一款由工采網代理的國產光耦合器，光耦 - ICPL-314系列光耦合器非常適合驅動電機控制逆變器和電源系統中的逆變器和MOSFET，它包含一個LED光學耦合到一個具有功率輸出級的集成電路。在-40°C~+110°C的溫度范圍內保證其工作參數。 光耦 - ICPL-314的特性： 1A較大峰值輸出電流 軌對軌輸出電壓 較大傳播延遲時間為110ns 帶有滯后現象的低電壓鎖定保護（UVLO） 寬工作范圍：10~30伏(VCC) 工作溫度范圍：-40°C~+110°C 監管批準： -UL-UL1577 -VDE-EN60747-5-5(VDE0884-5) -CQC-GB4943.1 光耦合器屬光電器件中之一環，系一發光及受光元件的組合體，借由光的傳輸達到導通的要求，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產品上，皆采用此器件作為【高壓隔離】用途。發光器件通常為發光二極體，受光器件通常在低階產品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產品為光耦合積體電路。 安芯微在國產光耦合器領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多光耦合器的技術資料，歡迎致電聯系：133 9280 5792(微信同號)
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