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來源：TrendForce集邦咨詢 根據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關產品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產能及產值占比均大幅向上。產能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過10%。產值方面，2024年起HBM之于DRAM總產值預估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。 
2024年HBM需求位元年成長率接近200%，2025年將再翻倍 吳雅婷指出，今年第二季已開始針對2025年HBM進行議價，不過受限于DRAM總產能有限，為避免產能排擠效應，供應商已經初步調漲5~10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。而供應商議價時間提早于第二季發生有三大原因，其一，HBM買方對于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受價格續漲。 其二，HBM3e的TSV良率目前僅約40~60%，仍有待提升，加上并非三大原廠都已經通過HBM3e的客戶驗證，故HBM買方也愿意接受漲價，以鎖定質量穩定的貨源。其三，未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應商的可靠度，以及供應能力產生價差，對于供應商而言，未來平均銷售單價將會因此出現差異，并進一步影響獲利。 展望2025年，由主要AI解決方案供應商的角度來看，HBM規格需求大幅轉向HBM3e，且將會有更多12hi的產品出現，帶動單芯片搭載HBM的容量提升。根據TrendForce集邦咨詢預估，2024年的HBM需求位元年成長率近200%，2025年可望將再翻倍。
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