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來(lái)源：EXPreview 進(jìn)入2024年后，存儲(chǔ)芯片價(jià)格的上漲勢(shì)頭持續(xù)，鎧俠（Kioxia）選擇結(jié)束了自2022年10月起開(kāi)始施行的NAND閃存減產(chǎn)策略，將生產(chǎn)線的開(kāi)工率重新提升至100%。與此同時(shí)，鎧俠也在推進(jìn)其技術(shù)開(kāi)發(fā)計(jì)劃，嘗試在存儲(chǔ)單元上堆疊更多的層數(shù)，目標(biāo)直指1000層。 據(jù)PC Watch報(bào)道，近期鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。3D NAND閃存的層數(shù)從2014年的24層增加到2022年的238層，在8年內(nèi)增長(zhǎng)了10倍，在鎧俠看來(lái)，以每年1.33倍的速度增長(zhǎng)，到2027年達(dá)到1000層的水平是可能的。 
在3D NAND閃存的層數(shù)挑戰(zhàn)上，鎧俠似乎比三星更有野心。三星在上個(gè)月表示，計(jì)劃2030年之前推出超過(guò)1000層的先進(jìn)NAND閃存芯片，其中將引入新型鐵電材料應(yīng)用于NAND閃存芯片的制造上，以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。 鎧俠在去年推出了BiCS8 3D NAND閃存，為218層。利用了1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）的四個(gè)平面，通過(guò)創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了50%以上。如果鎧俠想在2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊，可能需要過(guò)渡到五層單元（PLC）。
此外，想提高3D NAND芯片的密度不僅僅是增加層數(shù)，而且還涉及到制造過(guò)程中遇到的新問(wèn)題，所涉及到的技術(shù)帶來(lái)的挑戰(zhàn)是巨大的。 |
