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來源：集邦化合物半導體 據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。 據介紹，中央硝子開發出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。 由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態等，成功量產出了6英寸SiC襯底。在此基礎上，公司打算最早于2030年把尺寸擴大到8英寸。 據了解，自2022年4月起，中央硝子就已經開始使用液相法研究和開發SiC晶圓。 今年4月，中央硝子宣布其“高質量8英寸SiC單晶/晶片制造技術開發”項目通過審查，被日本新能源和工業技術開發組織（NEDO）的視為綠色創新基金項目（項目期限為2022財年至2029財年）。該項目后續將獲得來自NEDO的資助，這一進展將有助于中央硝子加速8英寸SiC襯底的開發。 報道指出，為了讓客戶采用以新技術制作的SiC襯底，中央硝子已開始與歐美的大型半導體企業等展開商討。中央硝子最早將于2024年夏天開始向客戶提供樣品，2027～2028年實現商業化。該公司將在日本國內的工廠實施數十億日元規模的投資，爭取將市場份額超過10％。 |
