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MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）的工作原理主要涉及到柵極電壓、溝道導電性以及源極/漏極電壓等因素的相互作用。具體來說： 當柵極電壓為低電平（通常為0V）時，絕緣層（如氧化硅SiO2）將柵極與溝道隔離，溝道內沒有自由電子或空穴，因此處于截止狀態(tài)，不導電。當柵極電壓為高電平（通常為正電壓）時，絕緣層被擊穿，柵極與溝道之間形成電場。如果柵極電壓足夠高，電場強度將使溝道中的半導體材料被注入自由電子或空穴，形成導電通道。此時，溝道內的自由電子或空穴可以由源極/漏極引線提供或排除，從而實現(xiàn)電流的流動。 MOS管中的溝槽工藝（Trench MOSFET）和SGT工藝（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽MOSFET）的區(qū)別： 結構與設計：溝槽型MOSFET的結構較為簡單，而SGT MOSFET具有更深的溝槽深度，這使其可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量。SGT MOSFET的溝槽填充能力更強，可以縮小單位元胞尺寸，降低器件Rsp3。 性能與特性：SGT MOSFET通過減小場效應晶體管的寄生電容及導通電阻，提升了芯片性能，減小了芯片面積。與傳統(tǒng)溝槽型場效應管相比，在同一功耗下可將芯片面積減少40%或更多。SGT MOSFET還具有低導通損耗和更低的開關損耗。 MOS管應用：加濕器、霧化器、香薰機、美容儀、榨汁機、暖奶器、脫毛儀、車燈、舞臺燈、燈帶調光、藍牙音箱、太陽能電源、電弧打火機、手機無線充等領域。 
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