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德州儀器采用當前先進的 GaN 制造技術，現啟用兩家工廠生產 GaN 功率半導體全系列產品 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，加上德州儀器現有 GaN 制造產能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產能將提升至原來的四倍。 德州儀器技術和制造集團高級副總裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片設計和制造領域數十年的專業知識，我們已成功驗證了德州儀器 8 英寸 GaN 技術并將開始大規模生產。這種 GaN 制造方式在目前階段擁有顯著的可擴展性和成本優勢，頗具里程碑意義，可助力我們不斷擴大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年，我們的自有制造產能將增至 95% 以上，同時實現從多個德州儀器工廠供貨，從而確保我們高功率、高能效 GaN 半導體產品全系列的可靠供應。” GaN 技術：功能強大，潛力無限 作為硅的替代品，GaN 是一種在能源效率、開關速度、電源解決方案尺寸和重量、總系統成本以及高溫和高壓性能方面頗具優勢的半導體材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度，即在較小的空間內提供更大功率，因此可用于筆記本電腦和手機中的電源轉換器以及暖通空調系統和家用電器中的更小型、更高能效電機驅動。 如今，德州儀器提供品類齊全的 GaN 集成功率半導體，涵蓋低壓和高壓類別，可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的電子產品。 德州儀器高壓電源部門副總裁 Kannan Soundarapandian 表示：“借助 GaN 技術，德州儀器可以更高效地在緊湊空間內提供更大功率，這也是驅動我們很多客戶進行創新的主要市場需求。服務器電源、太陽能發電和交流/直流適配器等系統的設計人員面臨著降低功耗并提高能效的挑戰，他們越來越需要德州儀器穩定供應基于 GaN 的高性能芯片。德州儀器的集成式 GaN 功率級產品系列可助力客戶實現更高功率密度、更好易用性和更低系統成本。” 此外，德州儀器 GaN 芯片采用了德州儀器專有的硅基氮化鎵 (GaN-on-silicon) 工藝，經過超 8 千萬小時的可靠性測試并具有集成保護特性，可保持高壓系統的安全性。 GaN 制造技術：卓越性能，引領前沿 德州儀器采用了當今市面上先進的 GaN 芯片制造設備，其新增產能可提升產品性能、制造工藝效率并帶來成本優勢。 此外，德州儀器在提升 GaN 產能過程中采用了更先進、更高效的機臺，可以生產出體積更小但是功率更大的芯片。這種設計創新可在制造中使用更少的水資源、能源和原材料，采用 GaN 芯片的終端產品也能擁有同樣的環境效益。 面向未來，不斷擴展 德州儀器新增的 GaN 產能所帶來的性能優勢還包括，可以支持公司將GaN芯片應用擴展到更高的電壓范圍，起始電壓為900V，并隨時間推移擴展至更高電壓，進一步推動機器人、可再生能源和服務器電源等應用在功效和尺寸方面的創新。 德州儀器的擴大投資還包括今年年初成功開展的在 12 英寸晶圓上開發 GaN 制造工藝的試點項目。此外，德州儀器擴展后的 GaN 制造工藝可全面轉為采用 12 英寸技術，使公司可根據客戶需求迅速擴展規模并為未來轉為 12 英寸技術做好準備。 致力于負責任、可持續的制造 擴大GaN 技術的芯片供應和創新應用，是德州儀器踐行負責任、可持續制造理念的新一舉措。德州儀器還承諾了 2027 年美國業務全面實現可再生電力使用，并在 2030 年全球業務全面實現該目標。 |
