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碳化硅MOS電壓2000V內阻98mΩ/ASC30N2000MT4PB

發布時間：2024-11-23 10:30    發布者：Eways-SiC
ASC30N2000MT4PB碳化硅MOS，電壓2000V內阻98mΩ、Drain Current(continuous)at Tc=25℃ 30 A（DataSheet： ASC30N2000MT4PB.pdf (1015.33 KB) ）



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Eways-SiC 發表于 2025-2-27 17:27:31
碳化硅MOSFET驅動設計合訂本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取碼uspc   
Eways-SiC 發表于 2025-4-1 17:31:05
基于雙脈沖實驗的Sic與IGBT特性對比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw   
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