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器件Qrr低至105 nC，VF為1.10 V，在降低開(kāi)關(guān)損耗的同時(shí)，可降低寄生電容并縮短恢復(fù)時(shí)間 威世科技Vishay推出四款采用eSMP 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級(jí)器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A 和 2 A 整流器針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時(shí)間。 
日前發(fā)布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3和VS-E7FX0212-M3，以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3。為了降低開(kāi)關(guān)損耗并提高效率，這些器件融合了低至45 ns的快速恢復(fù)時(shí)間，低至105 nC的Qrr（典型值），低至1.45 V的正向壓降和低至3.0 pF的結(jié)電容等特點(diǎn)。性能可靠的整流器在尺寸為4.2 mm x 1.4 mm的緊湊封裝中提供了高達(dá)21 A的非重復(fù)峰值浪涌電流，厚度低至1.08 mm，最小爬電距離僅2.2 mm。 器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管，也可用作自舉驅(qū)動(dòng)器功能的高頻整流器，同時(shí)可為最新快速開(kāi)關(guān)IGBT和高壓Si/SiC MOSFET提供去飽和保護(hù)。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型應(yīng)用包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具、電動(dòng)汽車（EV）車載充電器和電機(jī)、發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及Ćuk轉(zhuǎn)換器和工業(yè)LED SEPIC電路。 整流器采用平面結(jié)構(gòu)，通過(guò)鉑摻雜壽命控制，在不影響性能的情況下確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性，同時(shí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化的存儲(chǔ)電荷和低恢復(fù)電流可最大限度減少開(kāi)關(guān)損耗并降低功耗。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，潮濕敏感度達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)1級(jí)，可在+175 °C高溫下工作。 器件規(guī)格表：
最新第7代整流器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，訂貨周期為8周。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
