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本篇文章將要介紹： LMG3100R044VBER 一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 4.4mΩ GaN FET LMG2100R026VBNR 一款100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí) LMG3427R030RQZR 一款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3526R030RQSR 一款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30mΩ GaN FET 1、LMG3100R044VBER 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 連續(xù)、120V 脈沖、126A 氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含一個(gè)由高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個(gè)高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此兩個(gè) LMG3100 器件可用于形成半橋，而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。 特性： 集成了 1.7mΩ GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器 100V 連續(xù) 120V 脈沖式電壓額定值 集成了高側(cè)電平轉(zhuǎn)換和自舉 兩個(gè) LMG3100 可構(gòu)成一個(gè)半橋 無需外部電平轉(zhuǎn)換器 5V 外部輔助電源 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平 高壓擺率開關(guān)，低振鈴 柵極驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá) 10MHz 的開關(guān)頻率 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位，可防止 GaN FET 過驅(qū)動(dòng) 電源軌欠壓鎖定保護(hù) 低功耗 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局 外露式頂部 QFN 封裝，實(shí)現(xiàn)頂面散熱 底部大型外露焊盤，實(shí)現(xiàn)底面散熱 2、明佳達(dá) LMG2100R026VBNR 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置的高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。 特性： 集成半橋 GaN FET 和驅(qū)動(dòng)器 93V 連續(xù)，100V 脈沖額定電壓 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局 高轉(zhuǎn)換速率開關(guān)，低振鈴 5V 外部偏置電源 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá) 10MHz 的開關(guān)頻率 出色的傳播延遲（典型值為 33ns）和匹配性（典型值為 2ns） 內(nèi)部自舉電源電壓箝位，以防止 GaN FET 過驅(qū) 用于鎖定保護(hù)的電源軌欠壓 低功耗 外露頂部 QFN 封裝，用于頂部冷卻 用于底部冷卻的大型 GND 焊盤 3、LMG3427R030RQZR 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET。應(yīng)用包括： • 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器 • 商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器 PSU • 商用電信整流器 • 太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 • 不間斷電源 規(guī)格： 開關(guān)類型：通用 輸出數(shù)：1 比率 - 輸入:輸出：1：1 輸出配置：高端 輸出類型：P 通道 接口：邏輯，PWM 電壓 - 負(fù)載：- 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：7.5V ~ 18V 電流 - 輸出（最大值）：- 導(dǎo)通電阻（典型值）：26 毫歐 輸入類型：CMOS 特性：PWM 輸入 故障保護(hù)：過流，短路，UVLO 工作溫度：-40°C ~ 125°C 安裝類型：表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝：54-VQFN（12x12） 4、LMG3526R030RQSR 器件是一款具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30mΩ GaN FET，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。 特性： 具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V GaN-on-Si FET 集成高精度柵極偏置電壓 200V/ns FET 釋抑 23.6MHz 開關(guān)頻率 20V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI 在 7.5V 至 18V 電源下工作 強(qiáng)大的保護(hù) 響應(yīng)時(shí)間少于 100ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù) 硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌 針對(duì)內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù) 高級(jí)電源管理 數(shù)字溫度 PWM 輸出 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開，可實(shí)現(xiàn)更低的電源環(huán)路電感 有助于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測(cè)功能 注：本文部分內(nèi)容與圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除！ |
