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SK海力士將獨家供應英偉達Blackwell Ultra架構芯片12層HBM3E,技術領先優(yōu)勢進一步擴大

發(fā)布時間:2025-3-18 14:24    發(fā)布者:eechina
據臺媒digitimes今日消息,SK海力士預計將獨家供應英偉達新一代Blackwell Ultra架構芯片所需的第五代12層HBM3E(高帶寬內存)芯片。這一合作不僅鞏固了SK海力士在高端內存市場的領先地位,也預示著其與三星電子、美光科技等競爭對手的差距將進一步拉大。

SK海力士于去年9月全球率先開始量產12層HBM3E芯片,并實現了最大36GB的容量。這款芯片的運行速度可達9.6Gbps,性能卓越,為高性能計算、人工智能等領域提供了強大的支持。特別是在搭載四個HBM的GPU上運行如“Llama 3 70B”這樣的大型語言模型時,每秒可讀取35次700億個整體參數,展現了其驚人的數據處理能力。

此次與英偉達的合作,是SK海力士技術實力和市場策略的雙重勝利。英偉達作為全球領先的GPU制造商,其Blackwell Ultra架構芯片被譽為“史上最強AI芯片”,擁有2080億個晶體管,是上一代芯片“Hopper”的兩倍多,可以支持多達10萬億個參數的AI模型。而SK海力士的12層HBM3E芯片,正是這款頂級芯片所需的關鍵內存組件。

值得注意的是,SK海力士在高端內存市場的領先地位并非偶然。去年11月,SK集團會長崔泰源曾透露,英偉達CEO黃仁勛要求SK海力士提前六個月供應被稱為HBM4的下一代高帶寬內存芯片。這一要求不僅體現了英偉達對SK海力士技術實力的信任,也預示著雙方在高端內存領域的合作將更加緊密。

相比之下,三星電子雖然已獲得批準向英偉達供應其8層HBM3E芯片,但在高帶寬內存技術方面仍然落后于SK海力士和美光科技等競爭對手。而美光科技雖然也推出了12層堆疊的HBM內存產品,但其在市場上的影響力和供應能力尚無法與SK海力士相抗衡。
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