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據(jù)《首爾經(jīng)濟日報》報道，三星電子近日宣布啟動“夢想制程（꿈의 반도체 공정）”1nm芯片研發(fā)，預(yù)計2029年后實現(xiàn)量產(chǎn)，旨在通過顛覆性技術(shù)突破追趕臺積電（TSMC）。 三星電子正在為下一代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)起總攻，這標志著韓國巨頭正在向比2nm更先進的制程技術(shù)邁進。盡管當前在3nm、2nm節(jié)點落后于臺積電，但三星計劃通過顛覆性技術(shù)路線在2029年后實現(xiàn)1nm工藝量產(chǎn)，目標直指AI芯片市場的爆發(fā)式增長需求。 一、打破設(shè)計框架：1納米節(jié)點的技術(shù)革新 1nm節(jié)點需要徹底突破現(xiàn)有芯片設(shè)計框架，涉及高數(shù)值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）等下一代設(shè)備的全面導(dǎo)入。 三星內(nèi)部已將部分參與2nm研發(fā)的工程師調(diào)任至1nm項目組，顯示出對該項目的戰(zhàn)略重視。 目前三星公開的最新制程路線圖顯示，2027年計劃量產(chǎn)的1.4nm工藝仍是其最先進節(jié)點，而臺積電已于去年宣布將在2026年下半年啟動1.6nm工藝量產(chǎn)，技術(shù)代差仍客觀存在。 二、制程良率差距拉大，三星加速技術(shù)突圍 三星在3nm和2nm工藝上與臺積電存在技術(shù)差距，臺積電的2nm工藝良率已經(jīng)超過60%，而三星的良率相對較低。 三星電子副會長李在镕上月特別強調(diào)“繼承技術(shù)優(yōu)先傳統(tǒng)”，要求管理層“用世界不存在的技術(shù)創(chuàng)造未來”。 這一表態(tài)被解讀為對制程競賽受挫的危機應(yīng)對，也是推動1nm提前研發(fā)的直接動因。 此外，三星還在加大研發(fā)投入，計劃引入高數(shù)值孔徑EUV光刻設(shè)備，以期在1nm制程上實現(xiàn)技術(shù)突破，從而在未來的AI芯片市場中重新確立領(lǐng)先地位。 三、AI芯片技術(shù)競賽下技術(shù)代差成新籌碼 隨著AI訓(xùn)練算力需求每6個月翻倍，芯片制程的突破成為決定性因素。 臺積電通過新增1.6nm節(jié)點搶占過渡期市場，而三星選擇直接跨越至1nm，試圖通過技術(shù)代差實現(xiàn)彎道超車。 三星代工事業(yè)部新任社長韓進滿近期密集拜訪DeepX等本土AI芯片初創(chuàng)企業(yè)，顯示其正加速構(gòu)建產(chǎn)業(yè)協(xié)同。 結(jié)語：制程革命能否重塑競爭格局？ 從當前3nm節(jié)點的良率差距，到2nm節(jié)點可能擴大的技術(shù)代差，三星的1nm戰(zhàn)略既是技術(shù)追趕，也是路徑重塑。 高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備的引入將使單片晶圓成本顯著增加，這種“燒錢式”技術(shù)競賽可能重塑全球代工市場格局。 對于AI芯片開發(fā)商而言，制程節(jié)點的突破不僅是性能提升，更是決定未來算力生態(tài)的關(guān)鍵變量。 當臺積電在2026年啟動1.6nm量產(chǎn)時，三星能否在2029年用1nm工藝扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局，這場技術(shù)賽跑的勝負或?qū)⒃谖磥砣暌姺謺浴?br /> 來源：首爾經(jīng)濟日報、Samsung Newsroom |
