ADN4694EBRZ高速M-LVDS收發器——STL26N60DM6（MDmesh™ DM6 MOSFET晶體管）

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明佳達電子，星際金華【供應，回收】ADN4694EBRZ高速M-LVDS收發器——STL26N60DM6（MDmesh™ DM6 MOSFET晶體管）。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！

ADN4694EBRZ：3.3V、100MBPS、半雙工、高速M-LVDS收發器
概述：ADN4694EBRZ：都是多點低電壓差分信號(M-LVDS)收發器（驅動器和接收器對），工作速率最高可達100 Mbps (50 MHz)。驅動器輸出端實施壓擺率控制。接收器可在-1 V至+3.4 V的共模電壓范圍內利用低至50 mV的差分輸入檢測總線狀態。總線引腳上提供最高可達±15 kV的ESD保護。
ADN4694EBRZ——產品屬性：
類型：收發器
協議：LVDS，多點
驅動器/接收器數：1/1
雙工：半
數據速率：100Mbps
電壓 - 供電：3.3V
工作溫度：-40°C ~ 85°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC

STL26N60DM6：600V，15A，110W，MDmesh™ DM6 N 通道 MOSFET 晶體管
型號：STL26N60DM6
封裝：PowerFlat™（8x8）HV
類型：MOSFET 晶體管
STL26N60DM6——產品屬性：
系列：MDmesh™ DM6
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：15A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：215 毫歐 @ 7.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：940 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PowerFlat™（8x8）HV
封裝/外殼：8-PowerVDFN