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全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達到業界先進水平。 新產品采用ROHM自有結構，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過在一個器件中內置雙MOSFET的結構設計，僅需1枚新產品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護等應用需求。 新產品中的ROHM自有結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中位于背面的漏極引腳置于器件表面，并采用了WLCSP*3封裝。WLCSP能夠增加器件內部芯片面積的比例，從而降低新產品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，還有助于支持大電流，使新產品能夠以超小體積支持大功率快速充電。例如，對小型設備的雙向供電電路進行比較后發現，使用普通產品需要2枚3.3mm×3.3mm的產品，而使用新產品僅需1枚2.0mm×2.0mm的產品即可，器件面積可減少約81%，導通電阻可降低約33%。即使與通常被認為導通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新產品的導通電阻也降低了約50%。因此，這款兼具低導通電阻和超小體積的“AW2K21”產品有助于降低應用產品的功耗并節省空間。 另外，新產品還可作為負載開關應用中的單向保護MOSFET使用，在這種情況下也實現了業界超低導通電阻。 新產品已于2025年4月開始暫以月產50萬個的規模投入量產(樣品價格500日元/個，不含稅)。新產品在電商平臺將逐步銷售。 ROHM還在開發更小體積的1.2mm×1.2mm產品。未來，ROHM將繼續致力于提供更加節省空間并進一步提升效率的產品，助力應用產品的小型化和節能化發展，為實現可持續發展社會貢獻力量。 <開發背景> 近年來，為縮短充電時間，智能手機等配備大容量電池的小型設備中，配備快速充電功能的產品日益增多。這類設備需要具備雙向保護功能以防止在非供電狀態時電流反向流入外圍IC等器件。此外，為了在快速充電時支持大電流，智能手機等制造商對MOSFET有嚴格的規格要求，如最大電流為20A、擊穿電壓*5為28V至30V、導通電阻為5mΩ以下等。然而，普通MOSFET產品若要滿足這些要求，就需要使用2枚導通電阻較低的大體積MOSFET，而這會導致安裝面積增加。為了解決這個問題，ROHM開發出采用超小型封裝并具備低導通電阻的MOSFET“AW2K21”，非常適用于大功率快速充電應用。 <產品主要特性> <應用示例>
此外，新產品還適用于其他配備快速充電功能的小型設備等眾多應用。 <電商銷售信息> 發售時間：2025年4月起 新產品在電商平臺將逐步發售。 產品型號：AW2K21 <術語解說> *1)MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫) 一種采用金屬-氧化物-半導體結構的場效應晶體管，是FET中最常用的類型。 通常由“柵極”、“漏極”和“源極”三個引腳組成。其工作原理是通過向控制用的柵極施加電壓，增加漏極流向源極的電流。 Nch MOSFET是一種通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。 共源結構的MOSFET內置兩個MOSFET器件，它們共享源極引腳。 *2)導通電阻 MOSFET工作(導通)時漏極與源極間的電阻值。數值越小，工作時的損耗(功率損耗)越小。 *3)WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package) 在晶圓狀態下完成引腳成型和布線，隨后切割成芯片的超小型封裝。與將晶圓切割成芯片后通過樹脂模塑形成引腳等的普通封裝形式不同，這種封裝可以做到與內部的半導體芯片相同大小，因此可以縮減封裝的尺寸。 *4)GaN HEMT GaN(氮化鎵)是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料，與普通的半導體材料Si(硅)相比，其物性更優異，開關速度更快，支持高頻率工作。 HEMT是High Electron Mobility Transistor(高電子遷移率晶體管)的英文首字母縮寫。 *5)擊穿電壓 MOSFET漏極和源極之間可施加的最大電壓。如果超過該電壓，會發生絕緣擊穿，導致器件無法正常工作。 |
