SK海力士今日正式宣布，成功研發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。該產(chǎn)品以革命性技術創(chuàng)新突破行業(yè)瓶頸，重新定義高性能、低功耗與輕薄設計的完美平衡，為智能手機端側(cè)AI（On-device AI）應用提供強大支持，并鞏固SK海力士在旗艦移動存儲市場的領導地位。
AI時代賦能：性能與低功耗兼得 隨著端側(cè)AI技術的快速發(fā)展，用戶對移動設備的計算性能與續(xù)航能力提出更高要求。SK海力士此次推出的UFS 4.1產(chǎn)品專為優(yōu)化AI工作負載設計，搭載的321層NAND閃存通過優(yōu)化存儲單元結(jié)構(gòu)與數(shù)據(jù)傳輸機制，實現(xiàn)了能效7%提升，為智能手機提供更持久的續(xù)航表現(xiàn)。同時，其厚度縮減至僅0.85mm，較上一代產(chǎn)品減薄15%，完美適配超薄智能手機設計需求，為設備形態(tài)創(chuàng)新預留空間。 性能領跑行業(yè)：速度與容量全面升級 在數(shù)據(jù)傳輸層面，該UFS 4.1產(chǎn)品支持順序讀取峰值速率達4300MB/s，可快速加載大型AI模型與媒體文件。其隨機讀取和寫入速度較上一代分別提升15%和40%，在多任務處理、大型游戲啟動及高分辨率圖像與視頻處理等場景中表現(xiàn)卓越，綜合性能位居全球UFS 4.1解決方案首位。 容量方面，新品提供512GB與1TB雙版本選擇，滿足從普通用戶到大容量需求者的多種場景需求，進一步推動本地存儲從“云端依賴”向“邊緣計算”的轉(zhuǎn)變，助力端側(cè)AI實時響應與隱私保護。 技術突破：321層工藝定義行業(yè)新標桿 此次發(fā)布的解決方案基于全球首款321層4D NAND閃存（1Tb容量），標志著SK海力士在存儲芯片制程與堆疊技術領域取得重大躍進。通過優(yōu)化垂直堆疊技術與電路設計，該產(chǎn)品在單位面積內(nèi)實現(xiàn)更高存儲密度，同時降低能耗與發(fā)熱，為未來智能手機向更高性能、更輕薄、更智能的方向演進提供堅實基礎。 量產(chǎn)計劃穩(wěn)步推進 SK海力士計劃于202X年底向客戶交付樣品進行驗證測試，并將于202X年第一季度正式量產(chǎn)。公司高層表示：“UFS 4.1解決方案的推出，不僅展現(xiàn)了我們在NAND技術創(chuàng)新上的領先性，更體現(xiàn)了對未來AI終端生態(tài)的深度布局。我們期待攜手合作伙伴，加速端側(cè)AI應用的普及，為用戶帶來更高效、更智能的移動體驗。” |
