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掌握拓?fù)溥x擇:優(yōu)化電池供電設(shè)備設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2025-5-23 18:12    發(fā)布者:eechina
Mastering Topology Selection: Optimizing Battery-Powered Equipment Design

作者:Prasad Paruchuri,安森美技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)部

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們?nèi)缃衲軌蜓邪l(fā)出比以往更緊湊、功率更大、使用壽命更長(zhǎng)且充電速度更快的電池。

在道路上,由電池驅(qū)動(dòng)的車(chē)輛數(shù)量日益增多。在家庭中,從手持電動(dòng)工具到割草機(jī),各類(lèi)設(shè)備都已實(shí)現(xiàn)無(wú)線化。在建筑領(lǐng)域,錘鉆、沖擊扳手、圓鋸、射釘槍等設(shè)備也都依靠電池供電。在倉(cāng)庫(kù)里,叉車(chē)、托盤(pán)搬運(yùn)車(chē)、自動(dòng)引導(dǎo)車(chē)輛 (AGV) 等物料搬運(yùn)設(shè)備,都因電池性能的提升而獲益匪淺。



隨著電池供電設(shè)備變得越來(lái)越普及,快速充電對(duì)于提升此類(lèi)設(shè)備的便利性至關(guān)重要。本文討論了設(shè)計(jì)高效電池充電系統(tǒng)時(shí)必須考慮的標(biāo)準(zhǔn),介紹了較為常用的拓?fù)洌㈥U述了安森美 (onsemi) 的功率半導(dǎo)體如何助力實(shí)現(xiàn)高性能方案。

電池充電系統(tǒng)

電池充電系統(tǒng)適用于多種類(lèi)型的化學(xué)電池,包括鉛酸電池、鎳氫電池和鋰離子電池。目前,大多數(shù)電池供電設(shè)備采用 12V 至 120V 的鋰離子或磷酸鋰電池。電池充電器必須根據(jù)應(yīng)用的要求和工作環(huán)境進(jìn)行設(shè)計(jì)。對(duì)于手持式電動(dòng)工具而言,電池充電器必須緊湊輕便,并且能夠在無(wú)需強(qiáng)制散熱的情況下運(yùn)行。此類(lèi)小型高效充電器需要高能量密度,這要求充電器必須具備低功率損耗和更小的散熱器,而快速充電則需要高頻充電器。

在工業(yè)應(yīng)用中,充電器必須堅(jiān)固耐用,能夠承受惡劣的室內(nèi)外環(huán)境,并且可能需要由 120-277 V 交流電源,甚至 480V 交流電源來(lái)供電。

因此,設(shè)計(jì)人員必須為其最終應(yīng)用謹(jǐn)慎選擇最佳拓?fù)洌?yōu)化器件選擇,以滿足性價(jià)比要求。

電池充電拓?fù)?/strong>

圖 1 顯示了典型電池充電系統(tǒng)的框圖。在前端,來(lái)自市電的輸入電壓經(jīng)濾波后,通過(guò)功率因數(shù)校正 (PFC) 電路轉(zhuǎn)換為直流電壓。該系統(tǒng)的第二級(jí)由 DC-DC 轉(zhuǎn)換和恒壓/恒流控制功能組成,用以提供所需的充電輸出。


圖 1:典型電池充電系統(tǒng)框圖

許多設(shè)計(jì)利用微控制器對(duì)充電器進(jìn)行編程,以提供不同的電池電壓和電流能力。

為應(yīng)用選擇最佳拓?fù)?br />
接下來(lái),我們將分析幾種電路拓?fù)洌⒂懻撍鼈冊(cè)诓煌姵毓╇姂?yīng)用中的適用性。

1.        PFC 拓?fù)?br />
連續(xù)導(dǎo)通模式升壓拓?fù)洌▓D 2)是最簡(jiǎn)單且成本最低的 PFC 拓?fù)洌奢斎?EMI 濾波器、橋式整流器、升壓電感器、升壓 FET 和升壓二極管組成。


圖 2:連續(xù)導(dǎo)通模式升壓拓?fù)?br />
使用固定頻率平均模式控制器,例如安森美的 NCP1654 和 NCP1655 CCM PFC 控制器,可以實(shí)現(xiàn)更高的 PFC 和更低的總諧波失真 (THD) 水平。這些器件極大地簡(jiǎn)化了 PFC 的實(shí)現(xiàn),有效減少了外部元件的數(shù)量,同時(shí)集成了輸入功率失控箝位電路等多種安全特性。

對(duì)于更高功率的應(yīng)用,安森美的 FAN9672 和 FAN9673 PFC 控制器是不錯(cuò)的選擇。碳化硅 (SiC) 在充電應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì),包括低開(kāi)關(guān)損耗和高工作頻率。因此,在 PFC 設(shè)計(jì)中建議使用 SiC 升壓二極管。在 2KW 至 6.6KW 的高功率應(yīng)用中,輸入橋的損耗明顯更高,通過(guò)用 Si MOSFET 或 SiC MOSFET 等有源開(kāi)關(guān)代替二極管,可以降低這些損耗。

其他常見(jiàn)的拓?fù)浒ò霟o(wú)橋 PFC 和圖騰柱 PFC (TPFC),它們消除了橋式整流器,并且損耗更低。TPFC(圖 3)由 EMI 濾波器、升壓電感器、高頻半橋、低頻半橋、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器和固定頻率 TPFC 控制器組成。


圖 3:圖騰柱 PFC 拓?fù)?br />
TPFC 電路的高頻橋臂要求功率開(kāi)關(guān)中集成具有低反向恢復(fù)時(shí)間的二極管,SiC 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)均適合此級(jí)。安森美建議,對(duì)于 600W 至 1.2KW 的功率水平,使用集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 GaN,而對(duì)于 1.5KW 至 6.6KW 的應(yīng)用,則使用 SiC FET。集成 SiC 二極管的 IGBT 可用于 20-40KHz 的較高頻率應(yīng)用。電路的低頻橋臂可以使用低 RDS(on) 超級(jí)結(jié) MOSFET 或低 VCE(SAT) IGBT。對(duì)于更高功率(4.0 KW 至 6.6KW)的應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員應(yīng)考慮采用交錯(cuò)式 TPFC 拓?fù)洹?br />
安森美 650V EliteSiC MOSFET 為 TPFC 設(shè)計(jì)的高頻橋臂提供了一系列選擇。對(duì)于 3.0kW 應(yīng)用,可以考慮使用 NTH4L032N65M3S。對(duì)于高達(dá) 6.6kW 的應(yīng)用,NTH4L015N65M2 和 NTH4L023N065M3S 是不錯(cuò)的選擇。對(duì)于 TPFC 電路的低頻橋臂,NTHL017N60S5 器件是一個(gè)合適的選擇。

2.        隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

對(duì)于隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換,根據(jù)應(yīng)用的功率水平,可以采用多種不同的拓?fù)洹?br />
帶有次級(jí)側(cè)同步橋式整流器的半橋 LLC 拓?fù)洌▓D 4)非常適合 600W 至 3.0KW 的充電器應(yīng)用。根據(jù)功率水平的不同,可以使用 GAN 功率開(kāi)關(guān)(NCP58921,600W 至 1.0KW)或 SiC MOSFET(2KW 和 3.0KW)。對(duì)于更高功率水平(4.0KW 至 6.6KW)的應(yīng)用,設(shè)計(jì)人員應(yīng)考慮采用全橋 LLC(圖 5)或交錯(cuò)式 LLC 拓?fù)洹?br />

圖 4:集成 Lr 的半橋 LLC

設(shè)計(jì)人員可以選擇將 NTBL032N65M3S 或 NTBL023N065M3S EliteSiC MOSFET 用于初級(jí)側(cè)半橋,而對(duì)于次級(jí)側(cè)同步整流器,可以選用 80-50V PowerTrench® MOSFET(例如 NTBL0D8N08X 和 NTBL4D0N15MC)。


圖 5:帶有次級(jí)電壓倍增電路的全橋 LLC 拓?fù)?br />
乘坐式割草機(jī)、叉車(chē)和電動(dòng)自行車(chē)等應(yīng)用可能需要功率水平介于 6.6KW 至 11.0KW 之間的雙有源橋 (DAB) 充電解決方案。雙有源橋拓?fù)洌▓D 6)適用于 6.0KW 至 30.0KW 的應(yīng)用,并且可以將多個(gè) 6.0KW 充電器并聯(lián)使用來(lái)支持 12.0KW 至 30KW 的應(yīng)用。


圖 6:雙有源橋技術(shù)

根據(jù)應(yīng)用的具體要求,設(shè)計(jì)人員可以采用不同形式的雙有源橋拓?fù)洹?duì)于采用 120-347V 單相交流輸入電壓的工業(yè)充電器,可以使用單級(jí)雙有源橋拓?fù)洌▓D 7),而對(duì)于功率水平在 4.0KW 至 11.0KW 的應(yīng)用,則需要采用三相雙有源橋,其初級(jí)拓?fù)渲惺褂秒p向交流開(kāi)關(guān),次級(jí)拓?fù)渲惺褂萌珮颉?br />

圖 7:?jiǎn)渭?jí)雙有源橋轉(zhuǎn)換器

安森美的產(chǎn)品組合中包括適用于雙向開(kāi)關(guān)應(yīng)用的 650-750V Elite SiC MOSFET 和 iGaN HEMT 器件。NTBL032N65M3S 和 NTBL023N65M3S EliteSiC MOSFET 建議用于初級(jí)雙向開(kāi)關(guān),iGaN 技術(shù)同樣也適用。

優(yōu)化拓?fù)浜推骷x擇

電動(dòng)工具和設(shè)備的便捷性取決于電池能否實(shí)現(xiàn)快速高效充電。電池充電解決方案的設(shè)計(jì)人員必須考慮所需的功率水平和工作電壓,精心選擇最佳的拓?fù)洹4送猓O(shè)計(jì)人員為設(shè)計(jì)選擇的器件必須能夠滿足應(yīng)用的性能要求。

安森美的產(chǎn)品組合涵蓋廣泛的低壓、中壓和高壓功率分立器件,其中包括二極管、MOSFET、IGBT 等硅基器件。基于 SiC 的開(kāi)關(guān)器件正日益受到青睞,因?yàn)樗鼈兙哂懈斓拈_(kāi)關(guān)速度和出色的低損耗運(yùn)行特性,從而能夠在不犧牲性能的情況下提高功率密度。 借助安森美的芯片和封裝技術(shù),安森美的功率器件具有出色的質(zhì)量和穩(wěn)健性,能夠幫助您超越設(shè)計(jì)目標(biāo)。

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