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集成了Arm® Cortex®-M0內(nèi)核微處理器的電容處理器芯片

發(fā)布時(shí)間:2025-6-6 10:08    發(fā)布者:liao775a
電容處理器芯片的工作原理主要基于電容傳感器的原理,通過(guò)檢測(cè)電容的變化來(lái)感知物理量的變化。電容傳感器利用兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容變化來(lái)檢測(cè)各種物理量,如距離、位置、液位和壓力等。
電容傳感器的工作原理基于電容的基本定義:兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容隨著它們之間的距離、面積以及介質(zhì)的電容率的變化而變化。當(dāng)被測(cè)物體的性質(zhì)(如位置、物質(zhì)成分、溫度等)引起這些參數(shù)變化時(shí),通過(guò)精確測(cè)量電容的變化,可以得到關(guān)于被測(cè)物體的重要信息
在處理器芯片中,電容傳感器常用于觸摸屏和接近傳感器等應(yīng)用。例如, 電容式觸摸芯片 利用電容的變化來(lái)檢測(cè)觸摸事件。觸摸屏表面覆蓋一層導(dǎo)電材料,當(dāng)手指接觸屏幕時(shí),手指的電場(chǎng)會(huì)引起電容的變化。芯片通過(guò)檢測(cè)這些變化來(lái)判斷觸摸的坐標(biāo)和力度,從而實(shí)現(xiàn)觸控功能。
工采網(wǎng)代理的MCP61系列(Mysentech Capacitive Processor)是新一代電容傳感微處理器SOC芯片,集成了雙通道電容型模擬前端傳感電路AFECAP),可直接與被測(cè)物附近的差分電容極板相連,通過(guò)諧振激勵(lì)并解算測(cè)量微小電容的變化。激勵(lì)頻率在0.1~20MHz范圍內(nèi)可配置,其頻率測(cè)量輸出為16bit數(shù)字信號(hào),對(duì)應(yīng)的電容感知較高分辨率為1fF。
芯片內(nèi)置了高集成度雙通道電容傳感電路,測(cè)量通道1 C0P/C0N 與通道2 C1P/C1N可根據(jù)應(yīng)用需求直接與被測(cè)物附近的差分電容極板相連,通過(guò)測(cè)量振蕩頻率,解算被測(cè)目標(biāo)的電容。AFE通過(guò)處理器內(nèi)部配置PA7端口給電容模塊提供基準(zhǔn)時(shí)鐘,也可以應(yīng)用內(nèi)部模擬時(shí)鐘。處理器PA6端口可用于控制電容模塊啟動(dòng)工作,處理器端口PA8、PA9用于在芯片內(nèi)部與電容傳感AFE之間進(jìn)行I2C通訊。
為了解決各行業(yè)的電容傳感應(yīng)用,SOC芯片集成了Arm® Cortex®-M0內(nèi)核的微處理器,可實(shí)現(xiàn)各種嵌入式感知處理的算法,將原始的振蕩頻率數(shù)值,轉(zhuǎn)換成電容值及液位、含水率、位移距離等具體物理量。此外,芯片的模擬前端還集成了溫度傳感電路,可用于進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)膫鞲袌?chǎng)景。內(nèi)置的16KB Flash存儲(chǔ)器,2KB SRAM,可讓開(kāi)發(fā)者編寫(xiě)應(yīng)用軟件,并存儲(chǔ)傳感校準(zhǔn)及應(yīng)用數(shù)據(jù)。芯片同時(shí)集成了ADC、高級(jí)定時(shí)器、通用定時(shí)器、位基本定時(shí)器等硬件資源以及USART、SPII2C接口。
典型應(yīng)用電路:
數(shù)字電容傳感芯片 - MCP61的特性:
電容檢測(cè)前端
– 測(cè)量雙端互電容
– 電容測(cè)量范圍:1~1000pF
– 電容檢測(cè)頻率:0.1~20MHz
內(nèi)核與系統(tǒng)
32-bit Arm®Cortex®-M0
– 工作頻率可達(dá)48MHz
l 存儲(chǔ)器
16KB Flash存儲(chǔ)器
2KB SRAM
低功耗
– 多種低功耗模式,包括:睡眠(Sleep)、停機(jī)(Stop)和深度停機(jī)(Deep Stop
– 平均功耗:12uA@1Hz
部通道和1個(gè)可采集內(nèi)置參考電壓的內(nèi)部通道
CRC計(jì)算單元
調(diào)試模式–串行調(diào)試接口(SWD)接口
工作溫度范圍-40~+85
QSOP24/QFN24 封裝可選
數(shù)字電容傳感芯片 - MCP61的應(yīng)用:
連續(xù)液位檢測(cè)
水浸檢測(cè)
物質(zhì)介電檢測(cè)
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