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IGBT的柵極電壓可通過不同的驅(qū)動電路來產(chǎn)生。這些驅(qū)動電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣對IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)長期運(yùn)行可靠性產(chǎn)生直接影響。為了確保IGBT的完全飽和以及較小化通態(tài)損耗，同時(shí)還要限制短路電流和功率應(yīng)力，正向柵極電壓必須控制在適當(dāng)范圍內(nèi)。 此外，IGBT的正柵壓VGE與其導(dǎo)通電阻和損耗密切相關(guān)。VGE越大，導(dǎo)通電阻越低，從而損耗越小。然而，過大的VGE可能導(dǎo)致IGBT在過流時(shí)出現(xiàn)內(nèi)部寄生晶閘管的靜態(tài)擎柱效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致器件失效。相反，如果VGE過小，IGBT的工作點(diǎn)可能進(jìn)入線性放大區(qū)，最終因過熱而損壞。因此，開通時(shí)的柵極驅(qū)動電壓應(yīng)維持在12至20V之間。 在IGBT處于斷態(tài)時(shí)，其柵極電壓為零。由于IGBT的關(guān)斷過程中可能承受高dv/dt，伴隨產(chǎn)生關(guān)斷浪涌電流，這可能干擾柵極關(guān)斷電壓并導(dǎo)致誤開通。為了避免這種情況，必須在柵極上施加一個(gè)反向關(guān)斷偏壓，以保持IGBT在集電極-發(fā)射極電壓上出現(xiàn)dv/dt噪聲時(shí)的關(guān)斷狀態(tài)。此外，采用反向偏壓還有助于減少關(guān)斷損耗。理想情況下，反向偏壓應(yīng)在-5至-15V之間。 
光電耦合器主要由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。光的發(fā)射部分主要由發(fā)光器件構(gòu)成，發(fā)光器件一般都是發(fā)光二極管，發(fā)光二極管加上正向電壓時(shí)，能將電能轉(zhuǎn)化為光能而發(fā)光，發(fā)光二極管可以用直流、交流、脈沖等電源驅(qū)動，但發(fā)光二極管在使用時(shí)必須加正向電壓。光的接收部分主要由光敏器件構(gòu)成，光敏器件一般都是光敏晶體管，光敏晶體管是利用PN結(jié)在施加反向電壓時(shí)，在光線照射下反向電阻由大變小的原理來工作的。 在光電耦合器輸入端加電信號使發(fā)光源發(fā)光，光的強(qiáng)度取決于激勵(lì)電流的大小，此光照射到封裝在一起的受光器上后，因光電效應(yīng)而產(chǎn)生了光電流，由受光器輸出端引出，這樣就實(shí)現(xiàn)了電一光一電的轉(zhuǎn)換。 工采網(wǎng)代理的光耦合器 - ICPL-155E由砷化鎵紅外發(fā)光二極管和集成的高增益、高速光電探測器組成。該器件采用SOP5封裝。光電探測器內(nèi)部配備有法拉第屏蔽，確保了±20 kV/us的共模瞬態(tài)抗擾度。ICPL-155E適用于IGBT或功率MOSFET的直接?xùn)艠O驅(qū)動電路。 引腳配置和真值表：
光耦 - ICPL-155E的特性： 工作溫度范圍：-40℃~+105℃ 較大傳播延遲為200納秒 共模瞬態(tài)抗擾度：±20kV/us（較小值） 傳播延遲偏斜：±85納秒（較大值） 絕緣電壓：3750 Vrms（較小值） 監(jiān)管批準(zhǔn)（待批準(zhǔn)） -UL-UL1577 -VDE-EN60747-5-5 VDE0884-5 -CQC - GB4943.1 光電耦合器 - ICPL-155E的應(yīng)用： 等離子顯示器（PDPs） 晶體管逆變器 MOSFET柵極驅(qū)動器 IGBT門驅(qū)動器 安芯微在國產(chǎn)光耦合器領(lǐng)域頗有建樹，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多光耦合器的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
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