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基于ARM的鋼鐵材料裂紋電磁無(wú)損檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2010-3-15 14:19    發(fā)布者:李寬
關(guān)鍵詞: arm , 電磁 , 鋼鐵 , 裂紋 , 無(wú)損檢測(cè)
鋼鐵材料是工業(yè)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)中常用的材料,廣泛用于橋梁、鐵路、建筑、管道等多方面。鋼鐵材料在生產(chǎn)和使用中常會(huì)產(chǎn)生裂紋等損傷,檢測(cè)這些損傷對(duì)于保障設(shè)備可靠運(yùn)行及人身安全有重要意義。采用電磁法對(duì)鋼鐵材料進(jìn)行性能測(cè)試和質(zhì)量檢驗(yàn),其優(yōu)點(diǎn)是在不影響工件的形狀和性能的同時(shí),確保檢測(cè)的簡(jiǎn)便、經(jīng)濟(jì)、快速。

目前,鋼鐵材料質(zhì)量檢查和故障診斷的智能化和自動(dòng)化的研究成為無(wú)損檢測(cè)技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用的一個(gè)重要方向。然而現(xiàn)有的電磁無(wú)損檢測(cè)儀器對(duì)于鋼鐵材料裂紋質(zhì)量檢測(cè)還存在許多難題,因而研發(fā)高效、智能和快速的檢測(cè)儀器仍然是這一領(lǐng)域的最大亮點(diǎn)。本文將ARM技術(shù)應(yīng)用于電磁無(wú)損檢測(cè)電路設(shè)計(jì)中,一方面能夠提高鋼鐵材料檢測(cè)的精度和速度,另一方面電路設(shè)計(jì)優(yōu)化能夠縮小檢測(cè)儀器體積,便于檢測(cè)人員攜帶。

1 初始磁導(dǎo)率法的檢測(cè)原理

初始磁導(dǎo)率法是基于電磁無(wú)損檢測(cè)方法檢測(cè)鋼鐵的材質(zhì),因其非破壞性、簡(jiǎn)便、快速及可實(shí)現(xiàn)100%逐件檢測(cè)等優(yōu)點(diǎn),在工業(yè)上得到廣泛的應(yīng)用[1]。初始幅值磁導(dǎo)率法檢測(cè)的原理如圖1所示,當(dāng)一個(gè)空心的磁化線圈中通以交流激磁電流之后,線圈內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)軸向的磁場(chǎng)強(qiáng)度Hp。被測(cè)的鐵磁性工件放入該線圈時(shí),在交變磁場(chǎng)的作用下鋼鐵件被交變磁化,從而大大增加原來(lái)的磁場(chǎng)強(qiáng)度Hp。但同時(shí),由于非無(wú)限長(zhǎng)工件的退磁場(chǎng)強(qiáng)度和鋼鐵件中感應(yīng)出的渦流產(chǎn)生的附加交變磁場(chǎng),兩者之和Hs又總是削弱原外加磁場(chǎng)Hp。因此,為了處理方便引入了有效磁導(dǎo)率μeff。這樣, 用一組測(cè)量線圈同軸繞制于激磁線圈上時(shí), 必然在測(cè)量線圈上產(chǎn)生一個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E。





初始磁導(dǎo)率是鋼鐵材料的磁化曲線在原點(diǎn)處的斜率, 即磁感應(yīng)強(qiáng)度隨磁場(chǎng)強(qiáng)度線性增加范圍內(nèi)的磁導(dǎo)率(磁疇疇壁的可逆位移區(qū))在此磁場(chǎng)范圍內(nèi),工件磁化后無(wú)剩磁。而裂紋、內(nèi)裂等損傷是由于鋼鐵材料在生產(chǎn)和加工過(guò)程中受熱應(yīng)力和組織應(yīng)力等因素造成的,根據(jù)應(yīng)力理論,鋼鐵材料的應(yīng)力越大,其初始磁導(dǎo)率下降越大[2]。

2 系統(tǒng)總體方案設(shè)計(jì)

本系統(tǒng)主要由激勵(lì)部分、傳感器部分、信號(hào)處理部分和系統(tǒng)控制部分組成。其中系統(tǒng)控制部分包括核心控制器件S3C2440A芯片、A/D轉(zhuǎn)換器、存儲(chǔ)器件、液晶顯示、鍵盤和聲光報(bào)警6部分。設(shè)計(jì)的系統(tǒng)總體框圖如2圖所示。



3 系統(tǒng)功能模塊設(shè)計(jì)

3.1 激勵(lì)部分

本設(shè)計(jì)的激勵(lì)方波采用S3C2440A控制芯片的PWM功能的定時(shí)器產(chǎn)生,激勵(lì)方波的頻率與占空比是通過(guò)軟件編程對(duì)PWM進(jìn)行配置,由于從 S3C2440A控制芯片的I/O口輸出的是3.3 V電壓,為了提高激勵(lì)方波電壓值,可在經(jīng)過(guò)電壓補(bǔ)償電路后提高達(dá)到±5 V電壓。將處理器的J7引腳(TOUT2)配置成PWM輸出,然后將輸出的信號(hào)經(jīng)過(guò)模擬電路處理得到需要的方波激勵(lì)信號(hào)。

3.2 傳感器部分

傳感器部分由激勵(lì)線圈和檢測(cè)線圈組成,采用自比較式的差動(dòng)設(shè)計(jì),用2個(gè)線圈同時(shí)在鋼鐵試樣上實(shí)施檢測(cè)[3]。鋼鐵器件檢測(cè)的相鄰部位的材料物理性能與幾何參數(shù)等通常都相差較小,對(duì)在鋼鐵材料上勻速水平移動(dòng)的傳感器的干擾一般較小。設(shè)計(jì)中,選用初始磁導(dǎo)率較高的U型錳鋅鐵氧體作為傳感器的磁芯,如果鋼鐵試樣中的應(yīng)力越大,則初始磁導(dǎo)率下降越快。激勵(lì)線圈與檢測(cè)線圈的繞線匝數(shù)為1:4,盡量地增大有效磁導(dǎo)率,進(jìn)而提高鋼鐵材料損傷檢測(cè)的靈敏度,并且可以明顯降低傳感器激勵(lì)線圈的功率。

3.3 信號(hào)處理部分

前置信號(hào)處理部分主要由整流電路、濾波電路、放大電路3部分組成。經(jīng)過(guò)信號(hào)處理部分后可以使檢測(cè)到的信號(hào)減少噪聲干擾、提高信噪比,使檢測(cè)信號(hào)盡可能不失真地傳輸?shù)胶罄m(xù)電路。設(shè)計(jì)中選用741運(yùn)放與RC電網(wǎng)組成濾波放大電路,對(duì)從橋式全波整流電路出來(lái)的信號(hào)進(jìn)行濾波和放大,放大100倍后可以得到比較清晰的檢測(cè)信號(hào),然后將得到的模擬信號(hào)傳輸給A/D轉(zhuǎn)換器,轉(zhuǎn)化為便于分析處理的數(shù)字量。這種電路能夠抑制各種外來(lái)干擾因素,而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。前置信號(hào)處理電路如圖3所示。



3.4 系統(tǒng)控制部分

S3C2440A是近年來(lái)推出的一款基于ARM920T架構(gòu)的高性能、低功耗的嵌入式Soc處理器。其典型主頻400 MHz,最高可達(dá)533 MHz,CPU內(nèi)部集成SDRAM控制器、LCD控制器、4通道DMA、3通道UART、I2C總線、I2S總線、SD接口、PWM定時(shí)器、觸摸屏接口、 8通道10位A/D控制器、camera接口等,非常方便系統(tǒng)開發(fā),因此應(yīng)用十分廣泛[4]。在本設(shè)計(jì)中,S3C2440A控制芯片連接A/D轉(zhuǎn)換器、外接控制鍵盤、液晶顯示和存儲(chǔ)電路。

3.4.1 A/D轉(zhuǎn)換電路

A/D轉(zhuǎn)換器選用TI公司的ADS1110芯片。ADS1110是精密的連續(xù)自校準(zhǔn)△-∑型A/D轉(zhuǎn)換器,帶有差分輸入和高達(dá)16位的分辨率,提供內(nèi)置的 2.048 V的基準(zhǔn)電壓,使用可兼容的I2C串行接口,可以在2.7 V至5.5 V的單電源下工作,ADS1110最高可以每秒采樣240次/s進(jìn)行轉(zhuǎn)換,片內(nèi)可編程的增益,放大器PGA提供高達(dá)8倍的增益并且允許以高分辨率對(duì)較小的信號(hào)進(jìn)行測(cè)量,使用靈活,可擴(kuò)展性強(qiáng)。ADS1110在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用電路如圖4所示。



本設(shè)計(jì)使用了單端輸入的方式,因此在信號(hào)輸入前,使用了一個(gè)加法電路保證輸入端電壓IN為正;同時(shí)為了保護(hù)ADS1110,防止過(guò)壓和瞬間電流沖擊,在輸入端設(shè)計(jì)了分壓和限流保護(hù)電路。I2C接口的數(shù)據(jù)端SDA和時(shí)鐘端SCL分別與S3C2440X控制器的M9、U8管腳相接,管腳配置成I2C工作模式。

3.4.2 鍵盤及其他控制電路

鍵盤電路的設(shè)計(jì)采用ZLG7290控制芯片[5],設(shè)計(jì)為4×4矩陣鍵盤,通過(guò)I2C總線與S3C2440A控制器進(jìn)行連接,按照I2C總線協(xié)議的要求,信號(hào)線SCL和SDA必須分別加上拉電阻,其典型值是10kΩ,鍵盤控制電路如圖5所示。鍵盤主要完成設(shè)置硬件系統(tǒng)各項(xiàng)功能的參數(shù),包括選擇不同的脈沖電流值、工作模式、基本參數(shù)設(shè)置等,并且為了適應(yīng)今后硬件系統(tǒng)功能的擴(kuò)展,特別預(yù)留了F0~F45 個(gè)按鍵作為候補(bǔ)功能按鍵使用。響應(yīng)通過(guò)延時(shí)處理程序,進(jìn)行按鍵的中斷完成,并且在處理程序中判斷按鍵是否彈起,保證每一次按鍵的有效性和準(zhǔn)確性,鍵盤按鍵的延長(zhǎng)時(shí)間設(shè)定為50 ms。



設(shè)計(jì)的外部存儲(chǔ)器采用2 MB的NorFlash (SST39VF160)、64 MB的NandFlsh (K9F1208)、2片32MB的SDRAM (HY57V56162 0FTP),其中NorFlash用于存放執(zhí)行代碼,NandFlsh用于存儲(chǔ)鋼鐵材料數(shù)據(jù)參數(shù)值,SDRAM用于存放運(yùn)行代碼。

顯示電路由外接液晶屏構(gòu)成,因?yàn)镾3C2440A內(nèi)置了LCD控制器,并且支持STN液晶屏與TFT液晶屏,尺寸從3.5寸到12.1寸,屏幕分辨率可以達(dá)到1 024×768像素。為了簡(jiǎn)化電路,充分發(fā)揮ARM的性能,采用3.5寸TFT液晶屏,使用S3C2440A內(nèi)置了LCD控制器直接進(jìn)行控制。

聲光報(bào)警電路由峰鳴器和紅色發(fā)光二極管構(gòu)成。當(dāng)檢測(cè)到損傷裂紋時(shí),驅(qū)動(dòng)蜂鳴器發(fā)聲,報(bào)警的同時(shí)LED燈閃亮。

4 測(cè)試實(shí)驗(yàn)

試驗(yàn)選用形狀相同的30根鋼管試樣進(jìn)行裂紋分選,采用最小分段二乘法對(duì)A/D采樣的數(shù)值進(jìn)行算法處理,為達(dá)到試驗(yàn)效果,其中部分鋼管人為造成各種表面裂紋,1號(hào)工件為理化檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)工件。試驗(yàn)表明本設(shè)計(jì)的電路系統(tǒng)對(duì)鋼鐵件表面損傷的檢測(cè)非常有效。選取部分鋼件,試驗(yàn)結(jié)果如表1所示,該試驗(yàn)可以使用多個(gè)性能指標(biāo)進(jìn)行標(biāo)樣。為了說(shuō)明儀器檢測(cè)數(shù)據(jù)的差異性,表中的測(cè)量值為儀器的直接測(cè)量值。



測(cè)量顯示數(shù)據(jù)可以看出,測(cè)量值大于標(biāo)準(zhǔn)1號(hào)工件值32 200時(shí)表示試樣無(wú)裂紋,當(dāng)測(cè)量值小于標(biāo)準(zhǔn)1號(hào)工件值時(shí)表示試樣有裂紋,從而驗(yàn)證了鋼鐵儀器損傷后應(yīng)力發(fā)生變化,使得初始磁導(dǎo)率值下降, 實(shí)驗(yàn)達(dá)到了預(yù)期的效果。

本系統(tǒng)在電路設(shè)計(jì)上,以ARM微處理器為中心,充分利用了ARM處理器的豐富資源,簡(jiǎn)化了硬件設(shè)計(jì)。尤其是在激磁產(chǎn)生和人機(jī)接口部分,通過(guò)使用ARM處理器的PWM、I2C以及LCD控制器,使相關(guān)電路大大簡(jiǎn)化,并且易于軟件控制。設(shè)計(jì)電路簡(jiǎn)單、界面友好、各功能實(shí)現(xiàn)模塊化,具有良好的開放性,有利于功能擴(kuò)展和系統(tǒng)升級(jí)。

參考文獻(xiàn)

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[2] 萬(wàn)國(guó)慶,樊景云,王于波,等.鋼鐵件缺陷的電磁無(wú)損檢測(cè)[J].哈爾濱科學(xué)技術(shù)大學(xué)學(xué)報(bào),1995,19(5):37-40.
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[5] ZLG7290控制芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)[Z].  廣州周立功單片機(jī)發(fā)展有限公司.http://www.zlgmcu.com.

作者:張 琳 權(quán) 毅 吳道平 來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用 2010-3
本文地址:http://www.qingdxww.cn/thread-9402-1-1.html     【打印本頁(yè)】

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