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在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩定性——負偏壓溫度不穩定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩定性（PBTI）——監測和控制的需求不斷增加。當前NBTI 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進可靠性研究人員不斷完善測試技術的關鍵。簡單來說，當撤銷器件應力時，這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測量得出的壽命預測結果將過于樂觀。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復對壽命預測的影響越小。此外，實驗數據顯示被測的劣化時間斜率（n）很大程度取決于測量時延和測量速度。因此，為了最小化測量延時并提高測量速度開發了幾種測量技術。 資料下載： 
2814_OTF Voltage_An - CN.pdf
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| 謝謝！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！ |
頂起######！！！！！！！！！ |
| 謝謝 |
| 謝謝樓主分享，但在實際測量時，我用溫度測試儀操作時，發現測量時延和測量速度沒有明顯相關性。 |
| xiexie |
