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美國康乃爾大學(Cornell University)的研究人員開發了一種全新的退火技術，可望縮短半導體光刻的制程時間并強化影像質量。 康乃爾大學研究人員是在半導體研究協會(Semiconductor Research Corp.)支持下開發激光尖峰退火(Laser-spike annealing, LSA)技術，已經過193nm浸入式光刻和13nm超紫外光(EUV)測試。目前，包括IBM、德州儀器(TI)、英特爾(Intel)、超微(AMD)、飛思卡爾(Freescale)和Globalfoundries等SRC的會員公司們都在考慮采用該技術。 “這種新的激光技術為熱處理帶來了全新的突破，”康乃爾大學教授Christopher Ober說。“在晶圓廠中實現更快速、更高傳真度的圖案轉印，就意味著更好的芯片性能和更低的成本。” 
激光尖峰退火技術 今天，薄的光阻薄膜是透過對整個晶圓加熱一分鐘或更多使用熱板來退火。 LSA能在毫秒級時間內發出同樣的脈沖激光束，進而大幅節省時間。研究人員所做的測試還透露，藉由烘烤方法的擴散會導致線粗糙度下降，從而獲得更高傳真度的光刻圖案影像質量。由SRC資助、康乃爾大學開發的激光尖峰退火系統使用了連續波激光聚焦到在線，并在硅基板上掃描，能在以毫秒級時間達到熔化溫度，從而產生更高傳真度的電路圖案，而且比當前制程中的加熱板烘烤更方法更加快速。 |
