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中微半導體設備（上海）有限公司（簡稱“中微公司”）將于本周三在上海世博展覽館就其設計創新、技術領先的新一代刻蝕設備產品舉辦新聞發布會。屆時，中微公司董事長兼首席執行官尹志堯博士將介紹公司產品開發的最新進展；中微公司資深技術專家將在會上介紹公司研發部門開發成功的兩款新一代刻蝕設備。 新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE（“單反應器甚高頻去耦合反應離子介質刻蝕機”），可應用于最先進的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕（在單反應器中實現多步操作）。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創新設計，能夠在工藝控制方面實現前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產商在確保芯片加工質量的同時達到更高的產出效率。 另一款，12英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV300E，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產品Primo TSV200E的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E獲得業界認可，已被亞洲眾多客戶用于先進系統封裝、2.5維封裝和微機電系統芯片的生產。中微第一臺Primo TSV300E設備已在國內領先的晶圓封裝廠運轉。 這兩種設備強化了中微公司產品布局，為全球芯片生產商應對半導體工藝的挑戰提供了更多、更新、更好的解決方案。 中微公司董事長兼首席執行官尹志堯認為，IC China是一個極有價值的平臺，非常適合新技術產品發布。他表示：“作為中國起步最早的半導體展會，IC China對國內外的技術專家和企業領導人具有極大的吸引力，同時為半導體制造前沿技術的深入討論提供了平臺。我們很高興能在這次展會上發布中微新一代刻蝕設備。這些設備都具有領先的獨特創新，能夠解決隨著技術進步和材料深度整合出現的新的技術障礙。這些設備也能為芯片生產商帶來顯著的成本競爭優勢，創造更多價值。” Primo SSC AD-RIE具有卓越的工藝控制靈活性，帶來更高產能及更佳芯片加工結果 Primo SSC AD-RIE是中微公司最新的介質刻蝕設備。它在中微和國際領先的半導體芯片制造商的合作中開發而成，能夠實現超高產能、最好的芯片加工質量和芯片刻蝕技術可延展性等嚴苛的技術目標。該設備的晶圓傳遞平臺可配置多達6個單芯片加工反應器，每個反應器可以獨立地優化加工條件，以實現不同工藝控制的靈活性。每個反應器的分子泵有極高的抽速，對包括壓力、流量、射頻功率以及溫度在內的重要參數有很好的調節作用，而并行工藝精確控制能實現反應器之間的良好匹配度。更佳的反應器之間匹配能夠提高刻蝕的重復性，從而提高生產效率。 采用Primo SSC AD-RIE，客戶可以得到更先進的工藝、卓越的芯片加工性能、技術可延展性和成本競爭優勢。 Primo SSC AD-RIE特點和優勢 超高速渦輪分子泵和大抽氣通道，可以產生高流量、低壓力，有利于高深寬比（HAR）刻蝕； 極高功率的低頻射頻偏壓電源。7kW 2MHz偏壓功率可以提供更高的離子能量，結合可以選配的脈沖射頻功率電源一起，可以提高在高深寬比（HAR）刻蝕中各向異性刻蝕的性能； 配備較大的射頻接地面積、產生更高的直流偏壓，可以產生更高的離子能量和更佳的刻蝕方向性； 雙區控溫的靜電吸盤配有雙區溫控設備，可以提高溫度和均勻性控制，并且更有效地散熱； 除三區的氣體分布系統（中心、邊緣和極端邊緣）和配備兩路可以獨立控制中心、邊緣和極端邊緣區域精細調整的氣體，再結合雙區控溫的靜電吸盤一起，產品反應器可以實現關鍵尺寸均勻性的精密控制； 選配的硅片邊緣工藝套件，可以提高硅片極端邊緣的刻蝕均勻性，實現更好的關鍵尺寸均勻性和更優化的刻蝕剖面，提高整體硅片良率。 Primo TSV300E：用于硅深孔刻蝕的先進刻蝕設備 Primo TSV300E不僅擁有前一代設備TSV200E的技術創新點，還拓展了工藝范圍。具有雙反應臺的反應器既可以單獨加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。該刻蝕設備可安裝多達6個加工反應臺（即3個雙反應器），這使得芯片產出能力幾乎翻了一倍，并降低了加工成本，對于注重節省成本的客戶來說無疑是不二之選。 區別于Primo TSV200E，Primo TSV300E 配備了高效能冷卻系統的5kW高功率電源，可以提高工藝的調整能力，同時它還具有獨特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側壁更加光滑。產品應用了電感耦合等離子體源，反應器可以用于深硅刻蝕和非博世工藝。 Primo TSV300E還有一項重要的技術創新點，它可以和中微的Primo D-RIE®刻蝕設備靈活結合，混合配置出具備在同一平臺進行等離子體刻蝕和TSV硅通孔刻蝕能力的設備。這種靈活的安排帶來了技術最優化和成本的競爭優勢。 Primo TSV300E特點和優勢 配備高效能冷卻系統的5kW功率射頻電感耦合等離子體源功率電源，可以提高工藝的調整能力； 有自主知識產權的氣體分布系統，可以在寬廣的工藝范圍內顯著提高刻蝕均勻性； 獨特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側壁更加光滑； 400KHz脈沖式和連續的偏壓射頻電源，可以消除刻蝕工藝過程中產生的通孔形狀的畸變，同時擴展工藝的可調性，提高設備性能的可預見性； 反逆流屏蔽環可以均衡等離子體屏蔽，防止氣體反應后反向擴散； 尺寸可變的氣體集聚環可以優化刻蝕均勻性，同時拓寬工藝窗口和范圍。 |
