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電子工程師雜談列表

AMEYA360代理:瑞薩電子推出具備預驗證固件的完整鋰離子電池管理平臺

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出針對電動自行車、吸塵器、機器人和無人機等多種采用鋰電池供電的消費產品推出鋰電池組一站式管理解決方案——R-BMS F。得益于所提供的 ...
2025年03月19日 14:39

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計
前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月18日 16:54   |  
功率器件   功率半導體   PCB設計   IGBT  

微軟對華為供貨許可未獲延期 有何影響?

微軟對華為的Windows操作系統供貨許可即將于2025年3月底到期,且未獲延期。這一事件對華為及其PC業務的影響可從多個維度DeepSeek分析: 一、產品策略調整 操作系統全面轉向國產化 華為將放 ...
2025年03月14日 18:05   |  
鴻蒙   華為PC   Windows  

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子

功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件的功率端子
前言 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月14日 15:39   |  
英飛凌   功率端子   功率半導體   功率器件  

安富利:供應鏈強則企業強

在外圍局勢風云變幻的當下,供應鏈的安全與穩定受到前所未有的重視。對于注重持續創新的硬科技企業而言,情況更是如此。面對復雜多變的市場環境,硬科技企業能夠破浪前行、韌性增長的“武功秘籍 ...
2025年03月12日 17:53   |  
安富利   供應鏈  

AMEYA360:村田微小等級片狀電感器發布,僅0.16mm×0.08mm!

 株式會社村田制作所已開始開發微小等級的016008尺寸(0.16mm × 0.08mm)片狀電感器,并致力于將其商品化。該產品已在年初(2025年1月)舉行的CES 2025展會展出。  近年來,由于電子設備的高性 ...
2025年03月06日 13:54

臺積電為什么要在美國追加1000億美元投資新建五家芯片工廠?

DeepSeek說,臺積電宣布在美國追加1000億美元投資新建五家芯片工廠(包括3座晶圓廠和2座先進封裝廠)及研發中心,這一決策背后涉及多重動因。綜合搜索結果可歸納為以下幾點: 1. 應對美國政 ...
2025年03月05日 17:08   |  
芯片工廠   臺積電  

功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數

功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結構函數
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年03月04日 16:23   |  
功率器件   英飛凌   功率半導體   結構函數  

功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散

功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 ...
2025年02月26日 16:24   |  
IGBT  

功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性 ...
2025年02月21日 15:37   |  
功率器件   瞬態熱阻   IGBT   英飛凌  

展望2025:人工智能將改變數據中心建設的方式

作者:康普企業網絡大中華區總經理兼副總裁 陳嵐 回望2024,人工智能(AI)對行業產生的影響顯露無疑。去年,數據中心對AI計算的需求呈指數級增長,這將促使行業采用更高效的流程,加快構建 ...
2025年02月18日 18:21   |  
數據中心   人工智能  

功率器件熱設計基礎(七)——熱等效模型

功率器件熱設計基礎(七)——熱等效模型
/ 前言 / 功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性 ...
2025年02月11日 16:45   |  
功率器件  

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