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• 自我介紹自主研發設計碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圓die與 SiC Module功率模塊。通過AEC-Q101和AQG324認證。擁有全自主知識產權，已申請40項專利技術，采用6英寸技術已量產20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產品。
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碳化硅MOS電壓650V-3300V，電流1A-200A 。 2023-04-17

Si CMOS 管國產實現 電壓 650V-3300V， 電流 5A-150A 。https://pan.baidu.com/s/1coNcn5QTm2JBVLch-Nk4TA 提取碼52x5   碳化硅（SiC ...

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