碳化硅模塊~SiC Module產(chǎn)品簡(jiǎn)介

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SiC模塊換向電感降低可以實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的全速開(kāi)關(guān)。更高的開(kāi)關(guān)速度可以轉(zhuǎn)換成更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而得到更小的磁性過(guò)濾器 元件。同時(shí)可以降低開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術(shù)可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。 全碳化硅SiC模塊產(chǎn)品簡(jiǎn)介.pdf (2.85 MB)

2023-9-23 10:59 上傳

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碳化硅模塊
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為縮小半導(dǎo)體器件使用尺寸，提高逆變器功率密度、可靠性、耐用性以及壽命周期。

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實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。

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碳化硅模塊 前途無(wú)量

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有AQG-324

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模塊 實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

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SiC MOSFET碳化硅半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)以及SiC柵極驅(qū)動(dòng)器示例 -  - 電子工程網(wǎng)  http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html

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碳化硅MOS單管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介紹。電子工程網(wǎng) -  http://www.qingdxww.cn/thread-821142-1-1.html

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碳化硅MOS管-SiC MODULE產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流1A-150A

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基于雙脈沖實(shí)驗(yàn)的Sic與IGBT特性對(duì)比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw