|
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（“華潤上華”）近日宣布其第三代超高壓700V BCD系列工藝開放代工平臺開發(fā)成功。該工藝平臺自華潤上華第二代硅基700V BCD工藝基礎上自主開發(fā)而來。通過工藝技術的持續(xù)改進，該工藝不僅控制電路部分的設計規(guī)則比第二代硅基700V BCD工藝縮小15%，其最核心的700V DMOS器件特征導通電阻也已達到國際上領先的19 ohm.mm2，且700V DMOS器件的ESD 和UIS 等關鍵性能比前一代工藝有大幅度提升，可用于制造更高功率的LED 照明驅動芯片和AC-DC 電源轉換芯片。 華潤上華于2007年在國內獨家推出第一代硅基700V CDMOS工藝，率先實現(xiàn)了低壓CMOS控制電路與700V 功率DMOS的單片集成，擁有國際先進水平。華潤上華利用此技術與客戶合作開發(fā)的電源轉換芯片，在國內小家電市場占有最大市占率，該產(chǎn)品還獲得江蘇省科技進步一等獎和國家技術發(fā)明二等獎。基于在超高壓工藝領域長期積累的卓越研發(fā)能力和量產(chǎn)能力，華潤上華又于2010年在國內首家推出第二代硅基700V BCD工藝，在LED 照明驅動、AC-DC電源轉換等應用方面與多家客戶合作成功，在2011年底實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。此次第三代超高壓700V BCD系列工藝開發(fā)成功，更進一步提升了華潤上華在BCD工藝平臺領域的核心競爭力。 華潤上華的BCD工藝平臺電壓涵蓋1.8V到700V，線寬從1µm延伸至0.18µm，可滿足高電壓、高精度、高密度不同應用的全方位需求。未來，華潤上華將持續(xù)加大在超高壓BCD工藝方面的投入，正在開發(fā)中的下一代工藝將采用SOI技術，引入Trench及埋氧層隔離技術，可進一步滿足橋式驅動電路以及單片式集成小功率IPM模塊等綠色電源IC方面的需求。 由于能源危機的影響，節(jié)能減排一直是全球共同關注的訴求，節(jié)能環(huán)保也被列入中國七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一。700V BCD工藝由于其特性將在其中發(fā)揮越來越大的作用，滿足節(jié)能新興應用特別是高壓功率的需求，未來的市場前景將更為廣闊。該工藝所支持的LED 照明驅動應用市場在中國就頗具潛力，根據(jù)CCID數(shù)據(jù)顯示，2012年中國半導體照明市場規(guī)模達303億元，同比增長43.3%，開始由市場導入期向快速發(fā)展期轉型，中國半導體照明的市場滲透率目前僅7%左右，傳統(tǒng)照明可替代市場規(guī)模巨大。 |
