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降低MLCC壓電效應(yīng)和可聽(tīng)噪聲

發(fā)布時(shí)間:2013-7-17 10:49    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: MLCC , 陶瓷電容 , 壓電效應(yīng)
作者: Nicolas Guibourg

MLCC(或者陶瓷電容器)因其低成本和小體積而在電子電路中得到日益廣泛的使用,但是由于需要處理的電子器件越來(lái)越多,它們固有的壓力效應(yīng)(表現(xiàn)為可聽(tīng)噪聲)便成為一個(gè)問(wèn)題。

相比常用鉭電解質(zhì)電容器,MLCC(多層陶瓷電容器)具有許多優(yōu)勢(shì),具體如下:非常低的等效串聯(lián)電阻(ESR);非常低的等效串聯(lián)電感(ESL),小尺寸;更低老化度,電介質(zhì)高可靠性。

但是,與所有鐵電體電介質(zhì)一樣,它受壓電效應(yīng)影響:某些材料由于機(jī)械變形在表面產(chǎn)生電勢(shì)或者電場(chǎng)。如果這種電介質(zhì)承受不同的電場(chǎng)強(qiáng)度,并且其工作頻率處在人耳可聽(tīng)頻率范圍內(nèi)(20 Hz – 20 kHz),則電容器會(huì)產(chǎn)生噪聲,也即所謂的可聽(tīng)噪聲。

在大多數(shù)情況下,MLCC本身并不足以產(chǎn)生有問(wèn)題的或者破壞性的聲壓級(jí)(SPL)。但在焊接到PCB板上以后,MLCC產(chǎn)生一個(gè)彈簧質(zhì)量系統(tǒng),其增加或者抑制振蕩,具體取決于頻率(圖1)。本文將研究和討論降低陶瓷電容器可聽(tīng)噪聲的影響、原因和解決方案。


圖1:電場(chǎng)影響下的MLCC變形。

實(shí)驗(yàn)環(huán)境與設(shè)置

我們利用一個(gè)高敏感度Se Electronics 1000A麥克風(fēng)獲取測(cè)量結(jié)果,并使用Spectro頻率分析器2.0軟件對(duì)其進(jìn)行分析。所有下列數(shù)值結(jié)果并非是要為你提供絕對(duì)數(shù)據(jù),而是用于相互比較,以理解MLCC可聽(tīng)噪聲的各種影響因素。我們還不完全了解產(chǎn)生這類(lèi)“噪聲”的原因,本文主要為你介紹一些事實(shí),并不準(zhǔn)備解釋某個(gè)參數(shù)產(chǎn)生某種結(jié)果的原因。大多數(shù)情況下,常識(shí)就能解釋“噪聲”產(chǎn)生的原因。少數(shù)情況下,需要讀者運(yùn)用其技巧。

頻率影響


耳朵對(duì)聲音的響應(yīng)依賴(lài)于聲音的頻率。人耳的最大靈敏度約為2.5kHz到3kHz(圖2),并且低頻的響應(yīng)相對(duì)較低。換句話說(shuō),相同的SPL,相比低頻(例如:50 Hz)聲音,3 kHz頻率的聲音聽(tīng)起來(lái)更大聲。


圖2:人耳可聽(tīng)范圍。

本文剩下部分將不考慮頻率影響。

信號(hào)特性影響

如果給MLCC端施加一個(gè)替代電壓,電容器將在該信號(hào)頻率下收縮和膨脹,其變形程度取決于幾個(gè)因素。

基本上,絕對(duì)電壓越高,電容器膨脹越重要。因此,隨著信號(hào)振幅(lVmax – Vminl)的增加,電容器容積變化也愈加重要,其導(dǎo)致更高的SPL(圖3)。另外,占空因數(shù)接近10%或者90%的信號(hào),產(chǎn)生的“噪聲”比50%占空因數(shù)的信號(hào)更少(低12 dB)。


圖3:SPL、漂移與振幅的對(duì)比(6kHz – D= 50%)。

最后,急劇升/降沿的信號(hào)(例如:方波)會(huì)使電容器更快變形,因此SPL高于變化較慢的電壓(例如:正弦波)。

元件特性影響

顧名思義,MLCC由多個(gè)層組成,并且電容器的特性肯定會(huì)影響噪聲的產(chǎn)生。例如,物理尺寸相同時(shí),電容越小,要求的層也越少,因此產(chǎn)生的變形也更小,具體如下面公式所示:

Δt=n×V×d33

Δt =厚度變化(變形) [m]

n = 層數(shù)

V = 厚度施加電壓 t [V]

d33 = 厚度壓電系數(shù) (“i=3” 方向) 變化 [m/V]

但是,相比大額定值電容器,給定電壓情況下小額定值電容器通常呈現(xiàn)更高的電容,而前者往往產(chǎn)生更多的噪聲。

不同的接觸面積(寬度、長(zhǎng)度)幾乎不影響噪聲的產(chǎn)生,但是相同電容時(shí),粗電容器產(chǎn)生的SPL要比細(xì)電容器產(chǎn)生的低。我們注意到,電容器越細(xì),電場(chǎng)越高(因?yàn)楦鲗痈o密),偏差效應(yīng)也更高。例如,一個(gè)1mm電容器比2.5mm電容器多產(chǎn)生13 dB。

PCB板影響

由于PCB板會(huì)起到前述彈簧質(zhì)量系統(tǒng)共振器的作用,組合電容器/PCB板在尺寸、配置和布局方面都至關(guān)重要。遠(yuǎn)離板的電容器(除其各端焊接材料以外不與板接觸)不會(huì)產(chǎn)生任何可聽(tīng)噪聲。

難以測(cè)量和控制的板自振頻率可以忽略不計(jì)。一般而言,板越厚,承受的變形越小,其產(chǎn)生的SPL也就越低。與此同時(shí),振動(dòng)電容器周?chē)陌灞砻嬖街匾肼曉酱蟆?yōu)先將電容器放置在PCB邊沿。測(cè)量結(jié)果表明,厚度降低2mm到1mm,噪聲增加5 dB,而面積減少14 cm?到5 cm?,噪聲減少6 dB。

相鄰放置時(shí),電容器產(chǎn)生的總SPL更高(一個(gè)單電容器和三個(gè)并聯(lián)電容器之間,增加14 dB)。相反,在PCB板兩面對(duì)稱(chēng)放置時(shí)(圖4所示),電容器往往相互抵消振動(dòng)。


圖4:焊接在PCB板兩面的電容器相互抵消振動(dòng)。

電子電路中的可聽(tīng)噪聲

由于許多電子設(shè)備均靠近人耳,例如:筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)等,因此噪聲會(huì)令人感到異常討厭,并且會(huì)成為一種重要的購(gòu)買(mǎi)決定因素。

在談到電容器高度、PCB板特性或者電容器布局時(shí),因受空間和成本限制,制造廠商有時(shí)并沒(méi)有很大的自由度。但是,一個(gè)可以事先確定的轉(zhuǎn)換器參數(shù)是突發(fā)負(fù)載或者線壓變化的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。由于這種參數(shù)會(huì)對(duì)輸出電容器的電壓振幅變化產(chǎn)生直接的影響,IC制造廠商會(huì)嘗試改善這種瞬態(tài)響應(yīng),以幫助解決可聽(tīng)噪聲問(wèn)題。

外部補(bǔ)償提供更高的靈活度,但通常要求使用額外的電阻器和電容器。與所有權(quán)衡過(guò)程一樣,用戶必須決定空間還是性能更重要。

MLCC替代方案

一些無(wú)源元件制造廠商已經(jīng)通過(guò)調(diào)節(jié)電介質(zhì)開(kāi)發(fā)出了具有低可聽(tīng)噪聲的MLCC。它們可幫助降低可聽(tīng)噪聲,但無(wú)法完全消除噪聲。其它解決方案也與這種情況類(lèi)似,例如:修改布局或者選擇不同特性的MLCC等。

由于電容器層變形是產(chǎn)生這種噪聲問(wèn)題的根源,相比MLCC應(yīng)優(yōu)先選擇鉭類(lèi)電容器。不過(guò),這些電容器的化學(xué)組成(MnO2)使電容器存在安全隱患,因?yàn)樗苋菀灼鸹穑哼@是大多數(shù)應(yīng)用無(wú)法接受的。其它類(lèi)型(例如:鋁電解質(zhì)電容器)通常電氣性能不夠好,無(wú)法獲得廣泛的使用。

另一種替代方案是所謂的POSCAP。這些復(fù)雜的聚合物/鉭電容器正在筆記本電腦應(yīng)用中獲得普遍使用,因?yàn)樗鼈兊慕Y(jié)構(gòu)消除了噪聲,并且其性能高于所有其它類(lèi)型電容器,特別是在偏差效應(yīng)方面。例如,只需更少的電容器,便可獲得與數(shù)個(gè)MLCC并聯(lián)一樣的電容。

總結(jié)

降低MLCC電容器產(chǎn)生的可聽(tīng)噪聲的方法有很多。注意PCB布局、PCB板規(guī)格或者電容器選擇,可幫助降低SPL水平,但無(wú)法消除它。不過(guò),這可能足以達(dá)到我們需要的水平。如果噪聲繼續(xù)存在,則明智的做法是改變電容器類(lèi)型,選擇一種更適合的電容器。這種解決方案的成本可能稍高,但是“一分投入,一分收獲”。

作者簡(jiǎn)介

Nicolas Guibourg于2006年作為一名系統(tǒng)工程師加入 TI(德國(guó)),他在顯示器功率轉(zhuǎn)換器組從事應(yīng)用技術(shù)支持和新型產(chǎn)品定義工作。他擁有高等電子與數(shù)學(xué)學(xué)院(法國(guó))電機(jī)工程學(xué)位。

參考文獻(xiàn)與感謝

1、感謝Andreas Maier抽出寶貴時(shí)間為本文所做的設(shè)備配置和數(shù)據(jù)測(cè)量工作

2、《低顫噪效應(yīng)多層陶瓷電容器開(kāi)發(fā)》,作者?T. Noji、K. Kawasaki、H. Sano、 N. Inoue、 K. Malhotra,2006年4月,村田電子公司

3、“SANYO電容器”產(chǎn)品說(shuō)明,2009年10月
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