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記者從中國南車株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT（中文名為‘絕緣柵雙極型晶體管’）芯片及其模塊研究開發(fā)” 項目鑒定會上獲悉，由該公司研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，打破了此前也是由該公司自主研制的3300伏高端IGBT芯片電壓等級和功率密度的記錄，項目成果總體技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平，代表我國功率半導體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。 此次鑒定會也同時展示了中國南車株洲所“IGBT家族”的“超強陣容”，比如1500安/3300伏、1200安/4500伏、750安/6500伏等不同規(guī)格的IGBT芯片及模塊產(chǎn)品，均代表行業(yè)最高水水平，顯示了該公司在IGBT器件成套技術(shù)特別是難度極高的高壓高功率密度IGBT器件技術(shù)上的超強實力。 鑒定會的專家，也聚集了我國電力電子行業(yè)的知名專家，來自中國科學院、中國工程院的四位院士以及來自中科院微電子所、南京大學、中南大學等高等院所的權(quán)威專家一致認為：中國南車株洲所研制的高壓高功率密度IGBT系列器件具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動態(tài)性能好等諸多優(yōu)點，經(jīng)歷了嚴苛的性能測試和試驗考核，而且具有在軌道交通、柔性直流輸電等重大工程項目的實際應用業(yè)績，其成果總體技術(shù)處于國際領(lǐng)先水平、填補了國內(nèi)行業(yè)空白，實現(xiàn)了我國在高端IGBT技術(shù)領(lǐng)域與國際先進水平接軌，具有重大戰(zhàn)略意義。 近年來，隨著IGBT芯片設(shè)計與工藝技術(shù)的不斷進步，模塊封裝理念及材料的不斷革新以及市場強大的需求， 3300伏電壓等級及以上的高壓IGBT正在向更高功率密度、更高工作頻率、更高工作溫度和更高可靠性方向發(fā)展，引領(lǐng)著當前IGBT技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展。 高壓高功率密度的IGBT應用領(lǐng)域從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶到4C產(chǎn)業(yè)，擴大到軌道交通、柔性直流輸電、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在推動國家節(jié)能減排、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、裝備制造水平提升、國防現(xiàn)代化與科技化以及民眾生活質(zhì)量等方面具有重大的戰(zhàn)略價值和經(jīng)濟價值，是現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。 目前，中國已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費市場，以高速動車組、大功率機車、新能源裝備、電網(wǎng)為龍頭的國內(nèi)變頻產(chǎn)業(yè)年IGBT需求量超過50億元，而且每年以15%以上速度增長。隨著國家產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和升級，以及戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高壓高功率密度IGBT將具有非常廣闊的應用空間。 此前，高壓高功率密度IGBT技術(shù)幾乎全部被國外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷，國內(nèi)還是一片空白，使得我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和影響國民經(jīng)濟命脈的關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)發(fā)展在很大程度上受制于人。 從2011年開始，中國南車株洲所通過全球性的戰(zhàn)略布局，吸納國際優(yōu)勢研發(fā)資源，對該項高端技術(shù)進行自主攻關(guān)，終于在去年12月份開發(fā)出國內(nèi)首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級的IGBT芯片，并在此基礎(chǔ)上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊，初步形成了IGBT器件技術(shù)的完整產(chǎn)品型譜。 此次項目負責人，該公司IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友向記者介紹，中國南車株洲所在IGBT項目上總投資超過20億元，目前該公司有近百位來自全球的頂尖專家從事IGBT器件芯片及模塊技術(shù)的研發(fā)，在IBGT芯片設(shè)計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應用上攻克了30多項難題，掌握該器件的成套技術(shù)，并在IGBT的規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)上形成完整的工藝體系，產(chǎn)品在國內(nèi)軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領(lǐng)域得到批量應用，項目已申報專利20項，獲得授權(quán)發(fā)明專利2項，實用新型專利2項。 據(jù)了解，目前，在國內(nèi)有數(shù)家從事中小功率IGBT產(chǎn)品組裝企業(yè)，具備了低端芯片（1200伏到1700伏電壓等級）研發(fā)及模塊封裝能力，在高壓IGBT模塊封裝技術(shù)上，也只有包括中國南車株洲所在內(nèi)的少數(shù)企業(yè)掌握了該項技術(shù)，而在關(guān)鍵的高壓IGBT芯片技術(shù)及后期系統(tǒng)運用上，中國南車株洲所成為國內(nèi)唯一一家全面掌握IGBT芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測試和系統(tǒng)應用的企業(yè)。 中國南車株洲所作為我國電力電子器件原始創(chuàng)新能力的主要企業(yè)之一，從最早的軌道交通用晶閘管、GTO的研制，到新世紀開始在IGBT、IGCT等高端功率半導體器件技術(shù)的發(fā)力，走過了漫長的一段路程。“十一五”以來，在國家發(fā)改委、工信部、科技部及地方各級政府的產(chǎn)業(yè)專項政策支持和國內(nèi)軌道交通等市場的推動下，該公司IGBT等功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，2008年，成功并購知名半導體公司丹尼克斯公司，吸納全球IGBT技術(shù)及研發(fā)資源，2009年在國內(nèi)率先建成第一條IGBT模塊封裝線，目前該項已向國內(nèi)各類市場銷售IGBT產(chǎn)品超過6萬只。2010年，該公司抓們在海外成立功率半導體研發(fā)中心，從事高壓IGBT芯片技術(shù)研究和新一代IGBT器件開發(fā)，2011年啟動的我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線，目前也已建成試運行。屆時，中國南車株洲所成為世界上僅有的幾家在掌握功率半導體產(chǎn)品成套技術(shù)、規(guī)模化生產(chǎn)能力以及市場應用的企業(yè)。 |
| 祝賀！希望新一年會更進一步，取得更大市場份額。 |
| 我很滿意。加強產(chǎn)品可靠性方面的試驗力度。 |
| 很好 |
| 到底是芯片還是模塊？ |
