Vishay發布采用ThunderFET技術的通過AEC-Q101認證的最新MOSFET

發布時間：2014-3-4 11:43 發布者：eechina

關鍵詞： TrenchFET , 功率MOSFET , ThunderFET , ECU

采用PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的100V N溝道器件具有8.9mΩ的RDS(ON)，占位面積為5mm x 6mm

Vishay發布首顆通過AEC-Q101認證的采用ThunderFET技術的TrenchFET功率MOSFET。為提高效率和節省汽車應用里的空間，Vishay Siliconix 100V N溝道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK SO-8L和DPAK封裝的產品中最低的導通電阻。

Vishay的ThunderFET技術可在單位晶粒面積內實現更低的導通電阻。在更低導通電阻是決定因素的應用場合，這項技術使采用DPAK封裝的SQD50N10-8m9L在10V下實現了8.9mΩ的超低導通電阻；在空間是首要因素的時候，SQJ402EP和SQJ488EP在10V下11mΩ的導通電阻與之相近，而小尺寸5mm x 6mm PowerPAK SO-8L封裝的尺寸只有DPAK封裝的一半。

今天推出的這些MOSFET的連續漏極電流達到50A，適用于汽車發動機控制單元里的噴射增壓應用和照明控制單元里用于照明鎮流器的反激式轉換器。器件的柵極電荷低至18nC，具有低導通電阻與柵極電荷乘積(該參數是DC/DC轉換器里MOSFET的優值系數)，可減少開關損耗，并提高整體系統效率。

SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L通過了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規定和RoHS指令2011/65/EU。器件的工作溫度為-55℃～+175℃。

器件規格表：

產品編號		SQD50N10-8m9L	SQJ402EP	SQJ488EP
封裝		DPAK (TO-252)	PowerPAK SO-8L	PowerPAK SO-8L
VDS (V)		100	100	100
VGS (V)		20	20	20
RDS(ON) (mΩ) @	10 V	8.9	11	21
RDS(ON) (mΩ) @	4.5 V	11.2	14	25.8
QG (nC)		46	34	18
ID (A)		50	32	42
IDM (A)		200	75	170

SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L已加入Vishay此前發布的通過AEC-Q101認證的SQ Rugged系列。欲了解全部SQ系列器件的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/。

新款車用MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

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