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日本DIN-TEK半導(dǎo)體（www.din-tek.jp）是日本著名的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，主要供應(yīng)工業(yè)領(lǐng)域、3C消費(fèi)類領(lǐng)域中AC-DC電源、DC-DC電源、及工控主板等系統(tǒng)中所必需的MOSFET、二極管、肖特基等產(chǎn)品。并為多個(gè)日本頂級(jí)半導(dǎo)體廠商提供功率器件制程開發(fā)技術(shù)支持，專利技術(shù)共享支持等，DIN-TEK半導(dǎo)體新近推出的DT系列最新技術(shù)超級(jí)結(jié)低壓溝槽MOSFET就是與多個(gè)日本著名半導(dǎo)體廠商合作開發(fā)而成，DT系列超級(jí)結(jié)低壓溝槽MOSFET能最大程度地減少M(fèi)OSFET損耗以進(jìn)一步提升MOSFET的性能。超級(jí)結(jié)工藝能夠提高擊穿電壓，其原理是在N型層建立垂直方向的P型支柱層從而形成一個(gè)在P-N結(jié)面具有統(tǒng)一電場分布的耗盡層。相比于傳統(tǒng)的中高壓MOSFET產(chǎn)品所具有的導(dǎo)通電阻值，超級(jí)結(jié)構(gòu)造實(shí)現(xiàn)了較低的導(dǎo)通電阻。另外，DT系列超級(jí)結(jié)低壓溝槽MOSFET采用了一項(xiàng)用于形成P型支柱層的單層外延(single-epi) 技術(shù)。熱分散會(huì)導(dǎo)致P-N結(jié)面的摻雜濃度發(fā)生變化，而目前應(yīng)用最為普遍的多層外廷工藝對于這種變化非常敏感，但是利用單層外延工藝可以實(shí)現(xiàn)具有均勻側(cè)壁的 p型支柱層。因此，單層外延工藝能夠提供更高的性能，也實(shí)現(xiàn)了幾何外形尺寸的縮小化 (圖 1)。. 另外，由于形成P型支柱層只需執(zhí)行一次外延晶體生長，所以單層外延工藝縮短了生產(chǎn)時(shí)間。進(jìn)一步降低了成本，提高了性價(jià)比，具有極大的競爭優(yōu)勢，其產(chǎn)品價(jià)格甚至比臺(tái)灣產(chǎn)MOSFET更便宜。 
DT系列超級(jí)結(jié)低壓溝槽MOSFET具有多種不同封裝，VDSS電壓從10V-250V，導(dǎo)通電阻最低至2毫歐，更有助于提升應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。它適用于各種電氣和電子設(shè)備中的AC-DC和DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場合，比如：移動(dòng)設(shè)備適配器、游戲機(jī)、IT 設(shè)備、通信系統(tǒng)、視聽設(shè)備、無線電力傳輸、LED照明、太陽能/風(fēng)能逆變電源、白色家電和小型工業(yè)設(shè)備。 欲就該系列產(chǎn)品聯(lián)系DIN-TEK半導(dǎo)體，請?jiān)L問： http://www.din-tek.jp. 郵件：sales@din-tek.jp 欲了解其他產(chǎn)品、設(shè)計(jì)工具和銷售聯(lián)系人的信息，請聯(lián)絡(luò)DIN-TEK半導(dǎo)體中國區(qū)代理商：深圳市尚鼎芯科技有限公司 郵件：sales@sunking-group.com |
