|
器件擁有同類產品中最佳的性能，并通過美國航天項目認證測試 新的JANSR+100krad低劑量速率晶體管為太空等輻射環境應用科技提供優異的抗電離輻射性能 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 在最近召開的巴黎核能與太空輻射效應大會(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現有的JANS/JANSR 產品新增一系列經過篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類產品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統，包括衛星以及核物理(nuclear physics)和醫療應用。 
意法半導體自1977年起開始為歐洲航天局(European Space Agency)提供半導體解決方案，在歐洲航天局成立后一直獲得該航天局的產品認證。意法半導體不斷改善抗輻射產品性能，目前推出的新產品就是一個典型實例。 JANS系統屬于意法半導體于2013年發布的歐洲空間元器件協調委員會(ESCC, European Space Components Coordination)項目的創新成果。新發布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率雙極晶體管，意法半導體對每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測試。此外，意法半導體還宣布其JANSR+產品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測試數據，展示其出色的抗輻射效應性能。 因此，意法半導體的JANSR+系列產品讓客戶有機會使用抗輻射性能優異且配備所有相關測試數據的抗輻射產品。客戶可直接使用這些產品，無需任何額外的篩選成本和交貨周期，因此大幅提升了抗輻射產品的市場標準。 意法半導體事業部副總裁兼功率晶體管產品部總經理Mario Aleo表示：“意法半導體為歐洲航天工業提供抗輻射雙極晶體管的時間長達35年，我們的產品飛行時間累計超過數億個小時。我們專門調整的航天技術設計取得了同類最好的抗輻射性能，現在又獲得了DLA證書，美國客戶將受益于我們的無與倫比的耐輻射性能。” 所有產品都采用先進的密閉UB封裝，可立即提供樣品及開放大批量訂貨。 詳情請查詢網頁www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr 技術說明 (1) 半導體器件的輻射效應與多個因素有關。對于雙極晶體管，總輻射劑量(總輻射劑量越大，輻射影響越大)和劑量速率(當總輻射劑量給定時，劑量速率越低，輻射影響越大)是兩個重要因素。低劑量速率特性對于衛星至關重要，因為太空中的劑量速率很低(在10 mrad/s范圍內)。不過，標準JANSR認證只考慮高劑量速率，而高劑量速率既不是最惡劣的輻射情況，也不是半導體器件在空間中經常遇到的輻照狀況。 輻射強化器件又稱抗輻射器件，按照航天局測試規范，抗輻射器件是在輻射環境中接受測試，以便讓設計人員知道產品能否成功耐受輻射，經過輻射后器件能否達到預期性能。抗輻射器件是為耐受最惡劣的太空輻射環境而專門研制的半導體器件。吸收輻射劑量的測量單位為rad。意法半導體的產品在實際空間條件下輻射性能十分優異，并配有支持其所聲稱的抗輻射性能的測試數據。 (2) 據文獻記載，業界公認全身輻照劑量達到10 krad將會導致死亡。JANSR規范保證抗輻射性能達到100 krad。 (3) JANSR+ 低劑量速率保證測試是對每顆晶圓進行10項測試(5個偏壓和5個不偏壓)。每件產品都配備輻射驗證測試(RVT)報告，包含在5種不同輻射程度時重要參數的漂移。 (4) 意法半導體的新抗輻射雙極晶體管的最大集電極-發射極電壓高達160V, 最大集電極電流高達5A,正向電流增益(hFE)高達450。 |
