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三星電子今天宣布已經開始量產用于固態硬盤的業內首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營銷部門負責人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態硬盤產品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數據存儲設備從傳統硬盤向固態硬盤的轉換。固態硬盤產品的多樣化，將加強三星產品的市場競爭力，進一步推動三星固態硬盤業務的發展。” 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術的最新產品，每片閃存芯片由32層垂直堆疊的存儲單元組成，單片閃存的存儲容量可達128Gb。利用三星獨有的3D電荷捕獲型柵極存儲單元結構技術（3D Charge Trap Flash）,各個存儲單元把電荷存儲在絕緣體中，并通過存儲單元陣列一層接一層地向上垂直堆疊，制造出含有數十億個存儲單元的芯片。 該款產品單個存儲單元容量為3bit，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊32層，因而大大提高了生產效率。與三星的10納米級3bit平面閃存相比，新推出的3bit V-NAND立體閃存的晶圓生產效率提高了一倍以上。 
三星于2013年8月推出了第一代24層V-NAND閃存，并在今年5月宣布了第二代32層V-NAND存儲單元陣列結構。而本月量產3bit 32層V-NAND閃存，則標志著三星正在通過加速V-NAND量產技術的發展引領著3D存儲芯片的新紀元。 自2012年首次推出基于3bit平面閃存的固態硬盤之后，三星已經證明了市場對高密度3bit閃存固態硬盤的廣泛需求。此次推出的業內首款3bit 3D V-NAND閃存預計將大大拓展市場對V-NAND閃存的采納，使基于V-NAND的固態硬盤在有效解決大多數服務器廠商對高耐久性存儲設備的需求的同時，將應用范圍擴大到一般個人電腦用戶。 |
