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三星電子今日宣布，已開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款20納米8Gb LPDDR4移動DRAM。 LPDDR可以說是全球范圍內(nèi)最廣泛使用于移動設(shè)備的“工作記憶”內(nèi)存。全新的20納米8Gb LPDDR4內(nèi)存，在性能和集成度上都比20納米級4Gb LPDDR3內(nèi)存提高一倍。此外，單顆容量高達8Gb的芯片使4GB LPDDR4封裝成為可能，而這款封裝則榮獲了2015年國際消費電子展（CES, Consumer Electronics Show）嵌入式技術(shù)類創(chuàng)新獎。在此之前，三星電子的2GB LPDDR3和3GB LPDDR3產(chǎn)品已分別在2013年和2014年的CES上獲此殊榮，而本次獲獎更使三星電子成為唯一一個憑借移動DRAM解決方案連續(xù)三年獲得CES創(chuàng)新獎的企業(yè)。 
由于輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達3200Mbps，是個人電腦中通常使用的DDR3 DRAM的兩倍，新推出的8Gb LPDDR4內(nèi)存可以支持超高清影像的拍攝和播放,并能持續(xù)拍攝2000萬像素的高清照片。 與LPDDR3內(nèi)存芯片相比，LPDDR4的運行電壓降為1.1伏，堪稱適用于大屏幕智能手機和平板電腦、高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的最低功耗存儲解決方案。以2GB內(nèi)存封裝為例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB內(nèi)存封裝，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB內(nèi)存封裝因運行電壓的降低和處理速度的提升，最大可節(jié)省40%的耗電量。同時，新產(chǎn)品的輸入/輸出信號傳輸采用三星獨有的低電壓擺幅終端邏輯（LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic），不僅進一步降低了LPDDR4芯片的耗電量，并使芯片能在低電壓下進行高頻率運轉(zhuǎn)，實現(xiàn)了電源使用效率的最優(yōu)化。 三星已于本月起開始面向全球應(yīng)用處理器供應(yīng)商和移動設(shè)備制造商，提供分別基于8Gb和6Gb LPDDR4芯片的2GB和3GB LPDDR4 DRAM封裝，并將在2015年初開始供給4GB LPDDR4封裝。 三星計劃快速擴大包括此次新推出的8Gb LPDDR4移動DRAM內(nèi)存和較早前推出的服務(wù)器用8Gb DDR4 DRAM內(nèi)存在內(nèi)的20納米DRAM系列產(chǎn)品的產(chǎn)量，以更好得滿足客戶的需求，并加快推動高集成度DRAM市場的發(fā)展。 三星電子存儲芯片銷售及市場營銷負責(zé)人崔周善執(zhí)行副總裁表示：“此次投入量產(chǎn)的20納米8Gb LPDDR4內(nèi)存芯片，比個人電腦和服務(wù)器中使用的DRAM更快更節(jié)能。通過推出這款產(chǎn)品，我們?yōu)槌咔宕笃聊黄炫炓苿釉O(shè)備的適時上市做出了貢獻。這款芯片稱得上是移動存儲器發(fā)展史上的一次重大進展，而它的成功推出也證明我們今后將繼續(xù)和全球移動設(shè)備制造商密切合作，共同優(yōu)化適合下一代移動操作系統(tǒng)環(huán)境的DRAM解決方案。” |
