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ALLIANCE新推出覆蓋1 GB，2 GB和4 GB密度的高速CMOS DDR3，78球和96球FBGA封裝 加州圣卡洛斯,2014/7/26-- Alliance Memory（聯(lián)盟記憶）今天推出了一個新的第三代高速CMOS雙數(shù)據(jù)率同步DRAMs (DDR3 SDRAM)和低壓DDR3L SDRAMs。容量為1 Gb,2 Gb,4 Gb，9mm FBGA78球狀封裝。規(guī)格為10.5mm*1.2mm和FBGA96球狀封裝，規(guī)格為13mm*1.2mm。今天發(fā)布的器件為雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)，提供高達1600 Mbps極快的轉(zhuǎn)移率和800 MHz的時鐘頻率。 公司以最小收縮管芯提供可靠DDR3(1.5 V)和DDR3L(1.35 V)SDRAMs，類似引腳兼容替代的解決方案，以結(jié)合新一代微處理器用于工業(yè)、消費者、和通信應(yīng)用中——不再需要昂貴的重新設(shè)計和部分風險評估。 AS4C128M8D3、AS4C64M16D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3和AS4C512M8D3、DDR3 SDRAMs工作電壓從一個+ 1.5 V(雙±0.075 V)電源、AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L DDR3L SDRAMs工作從一個+ 1.35 V電源。器件提供0°C---+ 95°C的商業(yè)溫度范圍和-40°C---+ 95°C的工業(yè)溫度范圍。 DDR3和DDR3L SDRAMs提供64M,128M,256M和512M,x 8bit或16bit可內(nèi)部配置8個扇區(qū)。器件提供完全同步操作,并提供可編程4或8bit的可變長度讀或?qū)憽Ｗ詣宇A充電功能可變時序結(jié)束時提供啟動自定時行預充電。易于使用的功能包括自動刷新或者自刷新,和一個允許系統(tǒng)選擇最合適模式的可編程寄存器,從而最大限度地提高性能。 器件的(Pb)和無鹵適用RoHS規(guī)范。 |
