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晶圓代工大廠臺(tái)積電（TSMC）近日宣布將推出精簡(jiǎn)型、低功耗版本的16納米FinFET制程，并公布其更先進(jìn)納米制程技術(shù)藍(lán)圖；臺(tái)積電預(yù)定自今年中開(kāi)始量產(chǎn)最新的16納米FinFET Plus （16FF+）制程，并在2016年展開(kāi)10納米制程生產(chǎn)。 在20納米芯片正式量產(chǎn)之后，臺(tái)積電宣布于2015年中開(kāi)始量產(chǎn)16FF+ 制程，該公司并表示采用此新制程的芯片性能可提升10%，功耗能比20納米芯片低50%，周期時(shí)間（cycle time）則是20納米芯片的兩倍。臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音（Mark Liu）并在于美國(guó)矽谷舉行的年度技術(shù)大會(huì)上表示，該公司新制程到今年底將有超過(guò)50款芯片投片（tape-out），包括應(yīng)用處理器、繪圖處理器 （GPU）以及汽車(chē)、網(wǎng)路處理器。 “我們正處于一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期──今日我們不只要推動(dòng)各自公司的成長(zhǎng)，還要推動(dòng)對(duì)以往不存在之新公司的搜尋；”劉德音表示：“我們的消費(fèi)性產(chǎn)品周期改變不多，改變的是產(chǎn)品設(shè)計(jì)與技術(shù)開(kāi)發(fā)的節(jié)奏，在相同的時(shí)間框架之下，有越來(lái)越多工作必須要完成。” 劉德音指出，臺(tái)積電已經(jīng)與ARM合作進(jìn)行Cortex-A72處理器核心的開(kāi)發(fā)，利用16FF+ 制程讓其性能達(dá)到Cortex-A15的3.5倍，而功耗則減少了75%；他并指出，臺(tái)積電與ARM將繼續(xù)在下一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)行合作。 臺(tái)積電也開(kāi)發(fā)了精簡(jiǎn)型（compact）版本的16納米FinFET制程，命名為16FFC，鎖定中低階智能手機(jī)、消費(fèi)性電子產(chǎn)品與穿戴式裝置使用；該制程能將功耗降低超過(guò)50%，達(dá)到0.55伏特，預(yù)計(jì)在2016下半年開(kāi)始產(chǎn)品投片。 “在16FF與16FF+方面，已經(jīng)在成本上有一些明顯的挑戰(zhàn)，我們預(yù)期每閘成本也會(huì)升高；”市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies執(zhí)行長(zhǎng)Handel Jones表示：“我認(rèn)為他們已經(jīng)藉由16FFC制程承認(rèn)了這一點(diǎn)，16FFC將會(huì)獲得不少青睞，特別是因?yàn)樗麄兡芴峁┑凸陌姹尽！?br /> 長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)臺(tái)積電與三星（Samsung）一直在16/14納米節(jié)點(diǎn)相互競(jìng)爭(zhēng)──臺(tái)積電的16納米制程與其他同業(yè)的14納米制程性能相近，而三星則是在今年度的世界行動(dòng)通訊大會(huì)（MWC）期間宣布其Galaxy S6智能手機(jī)將采用14納米芯片。臺(tái)積電的主管不愿意對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)多做評(píng)論，而最后誰(shuí)是贏家，從芯片產(chǎn)量可見(jiàn)分曉。 “三星聲稱(chēng)他們已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)（14納米制程），但我們還沒(méi)看到任何實(shí)際產(chǎn)品；”International Business Strategies的Jones提到了Exynos芯片：“如果三星現(xiàn)階段確實(shí)開(kāi)始大量生產(chǎn)，他們就領(lǐng)先了臺(tái)積電。” 10納米制程節(jié)點(diǎn) 臺(tái)積電的16納米制程技術(shù)預(yù)定今年夏天量產(chǎn)，該公司也公布了眾所矚目的10納米制程計(jì)畫(huà)；10納米制程的邏輯閘密度會(huì)是16納米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗則降低40%。臺(tái)積電展示了采用10納米節(jié)點(diǎn)的256MByte容量SRAM，預(yù)計(jì)10納米節(jié)點(diǎn)將在2016年底開(kāi)始生產(chǎn)，并透露有10家以 上的夥伴正進(jìn)行不同階段的設(shè)計(jì)。 “我們認(rèn)為10納米將會(huì)是持久技術(shù)節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電也將加速10納米制程進(jìn)度，我認(rèn)為這對(duì)產(chǎn)業(yè)界來(lái)說(shuō)是一個(gè)很不錯(cuò)的征兆；”Jones表示：“隨著10納米節(jié)點(diǎn)加速進(jìn)展──他們可能最后會(huì)邁向8納米節(jié)點(diǎn)──臺(tái)積電將拉近與英特爾（Intel）的差距，我認(rèn)為臺(tái)積電運(yùn)勢(shì)正好。” Jone指出，臺(tái)積電已經(jīng)在16納米以及10納米技術(shù)投資115億至120億美元，這意味著該公司必須要有客戶到位；為了強(qiáng)化10納米制程的承諾，臺(tái)積電將在2016年第二季進(jìn)行一座新晶圓廠的10納米制程設(shè)備裝機(jī)，并將在本季在一座現(xiàn)有晶圓廠移入10納米設(shè)備。 英特爾將會(huì)是臺(tái)積電在10納米制程節(jié)點(diǎn)的主要競(jìng)爭(zhēng)者，前者預(yù)期在接下來(lái)10~18個(gè)月量產(chǎn)10納米制程；而兩者之間的競(jìng)爭(zhēng)重點(diǎn)或許不在于量產(chǎn)時(shí)程，而是英特 爾的設(shè)計(jì)實(shí)力以及制造技術(shù)方面的問(wèn)題。“還不清楚誰(shuí)會(huì)在16/14納米制程領(lǐng)先，但我認(rèn)為臺(tái)積電正積極嘗試在10納米節(jié)點(diǎn)超前；”Jone表示：“如果真是如此，臺(tái)積電追上了英特爾，屆時(shí)就要看臺(tái)積電的10納米與英特爾的10納米是否相同。” |
