|
華虹半導體有限公司今天宣布，公司90納米嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺已成功實現量產，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點，具有很強的市場競爭優勢。 華虹半導體自主研發的90納米低功耗（LP）嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺，是國內最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術，可與標準邏輯工藝完全兼容；在確保高性能和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗Flash IP；具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eFlash工藝相比，門密度提升30%以上�；谶@些優點，華虹半導體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺，減小30%以上，再加上較低的光罩成本優勢，能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社�？�、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及MCU產品提供極佳性價比的芯片制造技術解決方案。 華虹半導體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰略工藝平臺之一，從0.35微米、0.18微米、0.11微米，到現在的90納米，一路走來，始終保持著業界領先地位，穩定可靠的工藝平臺為多家客戶提供了優質產品，受到客戶廣泛認可。同時，公司通過持續在該技術領域的深耕發展，已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。 華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示，華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術方面的專家，能夠在相對更小的芯片上發揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產將推動新一代應用的快速發展。公司將通過進一步縮小Flash基本存儲單元、提升基本單元庫的集成度、并減少光罩層數，持續追求具有更小芯片和更低成本的解決方案，繼續成為智能卡及微控制器等多種快速發展的嵌入式非易失性存儲器應用的首選半導體代工公司。 |
