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作者：yzhu05 籌備了一段時間，也找了不少的資料將準備開始整理和學習IGBT的材料。 IGBT 的資料有很多，如果想找，可以在baidu文檔里面找中文的資料，也可以在google找pdf的英文資料。粗略看起來較為詳細的有：富士IGBT應用手冊，三菱第五代IGBT應用手冊。而英飛凌的網站上的資料也較為齊整，都是英文的兄弟們可參詳。 IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由 MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。 理想等效電路與實際等效電路如圖所示： 
IGBT 的靜態特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態特性（開關特性）。 動態特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取：
IGBT的開通過程 IGBT 在開通過程中，分為幾段時間 1.與MOSFET類似的開通過程，也是分為三段的充電時間 2.只是在漏源DS電壓下降過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和過程中增加了一段延遲時間。 在上面的表格中，定義了了：開通時間Ton，上升時間Tr和Tr.i 除了這兩個時間以外，還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT在關斷過程 IGBT在關斷過程中，漏極電流的波形變為兩段。 第一段是按照MOS管關斷的特性的 第二段是在MOSFET關斷后，PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放，造成漏極電流較長的尾部時間。 在上面的表格中，定義了了：關斷時間 Toff，下降時間Tf和Tf.i 除了表格中以外，還定義 trv為DS端電壓的上升時間和關斷延遲時間td(off)。 漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而總的關斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又稱為存儲時間。 從下面圖中可看出詳細的柵極電流和柵極電壓，CE電流和CE電壓的關系：
從另外一張圖中細看MOS管與IGBT管柵極特性可能更有一個清楚的概念： 開啟過程
關斷過程
關于MOS的柵極過程，曾經寫過一篇詳細的博文： MOS管驅動基礎和時間功耗計算 MOS管寄生參數的影響和其驅動電路要點 |
