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許多現(xiàn)代功率MOSFET在 5V時(shí)達(dá)到導(dǎo)通電阻的低值，甚至在柵極到源極電壓為5V的情況下也可達(dá)到。然而，對于大功率MOSFET，特別是絕緣柵極雙極晶體管（IGBT），工程師更希望柵極到源極電壓為12V至15V，因?yàn)檫@些電源開關(guān)的導(dǎo)通電阻在高柵極到源極電壓情況下會(huì)進(jìn)一步降低。例如，國際整流器公司（International Rectifier）的17A額定IRFR024功率MOSFET有一個(gè)0.075Ω的導(dǎo)通電阻（參考文獻(xiàn)1）。當(dāng)柵極到源極電壓為12V時(shí)，該器件的導(dǎo)通電阻與柵極到源極電壓為5V時(shí)相比，下降到其值的41％。當(dāng)開關(guān)電流為10A時(shí)，該器件的功耗比柵極到源極電壓為12V時(shí)少6W。 IC1是美國模擬器件公司（Analog Devices）推出的一款A(yù)DuM5230集成電路隔離式驅(qū)動(dòng)器。它可以將5V的輸入電壓提高到足以驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通電阻到一個(gè)低值的水平，最大限度地減少功耗（圖1）。 但是，在低開關(guān)頻率的情況下，IC的高端內(nèi)部18V箝位消耗該集成電路從低端5V電源獲得的能量（參考文獻(xiàn)2）。 但是，ADuM5230的輸出電壓未經(jīng)調(diào)節(jié)。 幸好，該集成電路的一個(gè)調(diào)節(jié)引腳可以用來控制設(shè)備內(nèi)部脈寬調(diào)制器（PWM）的占空比，將占空比的值從1降至約0.1。當(dāng)調(diào)節(jié)引腳為打開時(shí)，默認(rèn)占空比的值為0.55。當(dāng)調(diào)節(jié)引腳連接到5V電源時(shí)會(huì)出現(xiàn)占空比的最低值。 IC2是安華高科技公司推出的一種ASSR-1219高級光MOSFET器件，用于控制調(diào)節(jié)引腳的電壓。該光MOSFET的輸出端之間有一個(gè)0V飽和電壓。由于經(jīng)典光耦合器具備一個(gè)雙極光電晶體管，在這種情況下用它作IC2不太合適。雙極光電晶體管有0.4V的飽和電壓，并且，一個(gè)普通光耦合器的電流傳輸比（CTR）在接近飽和輸出時(shí)將顯著降低。 當(dāng)IC1的高端輸出電壓的負(fù)載很輕或者可以忽略時(shí)，考慮將調(diào)節(jié)引腳的電壓轉(zhuǎn)為外部電壓電平。 有些時(shí)候，IC1的高端輸出電壓VISO會(huì)超過VZ(IF)+VFLED~13.5V的約值，其中VZ(IF)是D2的正向電流IF的穩(wěn)壓二極管D1的電壓，VFLED是IC2的發(fā)光二極管D2中的最低正向電壓。IC1超過了這個(gè)值，電流開始從D2流過，D2輸出的MOSFET開始導(dǎo)電。 IC2的制造商為開/關(guān)操作而設(shè)計(jì)此器件，建議使用的正向電流至少為0.5mA（參考文獻(xiàn)3）。 當(dāng)IC2輸出的MOSFET處在信號級別負(fù)載情況下，幾十微安通過發(fā)光二極管的正向電流導(dǎo)致光MOSFET的導(dǎo)通電阻值從幾乎無窮大變?yōu)閹浊W姆。調(diào)節(jié)引腳的電壓電平上升，而IC1的兩個(gè) PWM的占空因數(shù)下降。這一行為建立了一個(gè)隔離式負(fù)電壓反饋。因此，IC2中MOSFET和發(fā)光二極管的溫度對電路的性能影響極小。在輕負(fù)載情況下，5V電源的電流負(fù)載遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于使用打開調(diào)節(jié)引腳的IC1的電流負(fù)載。 測試時(shí)，卸載IC1的默認(rèn)電源電流為約94.6 mA。在電路中有反饋的情況下，該值會(huì)降到31.7 mA。在重載情況下，IC1高端的輸出電流上升到約20mA，并且占空因數(shù)自動(dòng)上升到一個(gè)高于默認(rèn)電源電流的適當(dāng)值。因此，輸出電壓在大約3.7mA到 22.6 mA的范圍內(nèi)為13.5V。電路的功率效率為20％或更高。在輸出電流為4.5mA的情況下，功率效率為20.5％，而IC1的功率效率約為15％。在電流為3.7mA的情況下，電路的效率可達(dá)20％。該值大大高于IC1在調(diào)節(jié)引腳開放時(shí)的13％。 |
