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業界最佳FOM的新款N溝道功率MOSFET(Vishay )

發布時間:2010-11-4 19:52    發布者:嵌入式公社
關鍵詞: 功率MOSFET
Vishay推出新款600V、47A N溝道 - SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。



柵極電荷與導通電阻的乘積是用于功率轉換應用中MOSFET的優值系數(FOM),SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC,是業界此類器件當中最低的。

SiHG47N60S的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,從而在太陽能電池和風力發電機的逆變器、通信、服務器和電機控制電源應用中的逆變器電路和脈寬調制(PWM)全橋拓撲中節約能源。

新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術制造,這種技術為減小通態電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,為保證可靠工作進行了完備的雪崩測試。

新款功率MOSFET現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
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