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美高森美公司(Microsemi)下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產品系列中的其它最新器件。 美高森美繼續擴大其SiC產品系列的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業 和汽車市場中的多種應用，包括混合動力車(HEV)/電動車(EV)充電、插電/感應式車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動車動力系統/牽引控制。它們也可用于醫療、航天、國防和 數據中心應用中的開關模式電源、光伏(PV)逆變器和電機控制。 美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業務部門經理Leon Gross表示：“對于電動車充電、DC-DC轉換器、動力系統、醫療和工業設備以及航空驅動等應用，若要SiC解決方案快速獲得采用，這些系統中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水平。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極管系列將會通過AEC-Q101資質認證以確保高可靠性水平，而且其高重復性無箝制感應開關(UIS)能力在額定電流下不會出現退化或失效，可見其穩健性。” 市場研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約5.405億美元，年復合增長率(CAGR)超過18%。該公司還預測2021年前全球汽車半導體應用SiC器件市場的年復合增長率將達到20%左右。美高森美在這些發展趨勢中處于有利地位，其SiC MOSFET和肖特基勢壘二極管器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能，能夠實現穩健工作，并具有充足功能來滿足這些不斷增長的應用趨勢。 與競爭Si/SiC二極管/MOSFET和IGBT解決方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對客戶極具吸引力的巨大優勢，包括可在更高的開關頻率下實現更高效的開關運作，以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值，從而實現穩健可靠的運作。例如，SiC MOSFET器件的開發重點是平衡特定導通電阻、低柵極電阻和熱阻，以及低柵極閾值電壓和電容，從而實現可靠的工作。這些器件針對高良率工藝和低溫度范圍參數變化而設計，在高結溫(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案) 工作，能夠擴展HEV/EV及其它應用中的電池系統。 這些新器件樣品正在進行AEC-Q101認證，并已通過了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時間依賴性介質擊穿(TBBD)測試，證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。其它主要特性包括： • 比競爭SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力，實現雪崩穩健性； • 比競爭SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能，實現更穩健的工作； • 針對中子敏感性，在額定電壓下的失效時間(FIT)較同類Si IGBT器件降低10倍；性能與中子輻照有關的SiC競爭產品相當；以及 • 與Si器件相比，SiC器件具有更高的功率密度，充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線電容器和更少的散熱元件，從而實現更緊湊的外形尺寸，降低整體系統成本。 6月5日至7日在PCIM展會6號展廳318展臺進行演示 美高森美產品專家將在PCIM展會期間于公司展臺上展示其下一代SiC解決方案，重點展品包括最近推出的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產品。如要了解更多信息或在展會期間安排會面，請訪問公司網頁https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe。 |
