貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) 晶體管。QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW，是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻晶體管，提供高信號完整性和長覆蓋距離，非常適合L波段航空電子設(shè)備和敵我識別 (IFF) 應(yīng)用。
GaN技術(shù)卓越的性能和可靠性使其非常適合基礎(chǔ)設(shè)施、國防和航空航天應(yīng)用，如雷達(dá)、通信、 導(dǎo)航以及類似的應(yīng)用。其性能的增強(qiáng)讓設(shè)計師可以在提升系統(tǒng)性能的同時，靈活地節(jié)省電路板空間和系統(tǒng)成本。 貿(mào)澤供應(yīng)的Qorvo QPD1025L是高電子遷移率晶體管 (HEMT)，同時支持脈沖波和連續(xù)波 (CW) 操作，以更高效地提供可與硅基LDMOS設(shè)備媲美的性能。該器件使用65 V電源軌供電，提供22.5 dB線性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶體管提供內(nèi)部輸入預(yù)匹配，簡化了外部板匹配，節(jié)省了電路板空間。 此款符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛晶體管具有配套的QPD1025L評估板。 有關(guān)QPD1025L晶體管的詳細(xì)信息，敬請訪問www.mouser.com/qorvo-qpd1025l-rf-transistors。 有關(guān)Qorvo氮化鎵射頻晶體管的詳細(xì)信息，敬請訪問www.mouser.com/qorvo-gan-rf-transistors。 |
