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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅動器,提高逆變器級工作效率

發布時間:2019-2-15 17:39    發布者:eechina
關鍵詞: IGBT , MOSFET驅動 , VOD3120A
器件最高輸出電流2.5 A,適用于電機驅動、可替代能源和其他高工作電壓的應用

Vishay 推出新的2.5 A IGBTMOSFET驅動器---VOD3120A,擴展其光電產品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝,低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA,可用于提高逆變器級工作效率。




日前發布的光耦采用CMOS技術,含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED,為門控設備提供所需驅動電壓。VOD3120電壓和電流使其成為直接驅動1200 V / 100 A額定值IGBT的理想選擇。

器件高隔離電壓分別為VIORM = 891 V,VIOTM = 6000 V,可用于電機驅動器、太陽能逆變器、開關電源 (SMPS)、感應爐面、不間斷電源 (UPS) 電流隔離。此外,其欠壓鎖定 (UVLO) 功能避免IGBT / MOSFET發生故障,最低35 kV/μs共模瞬變抑制能力有助于消除PCB高壓到低壓區域噪聲問題。

光耦最大傳播延遲為0.5 µs,極為適于要求快速開關的應用。器件符合RoHS標準,可在15 V至30 V電源電壓和-40 °C至+105 °C工業溫度下工作。

VOD3120現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為六周。
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