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SiC MOSFET支持高能效、小外形、強固和高性價比的高頻設計，用于汽車、可再生能源和數據中心電源系統 安森美半導體(ON Semiconductor)推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源。 
這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統，包括SiC二極管和SiC驅動器等互補器件，以及重要設計資源如器件仿真工具、SPICE模型和應用信息，以幫助設計和系統工程師應對高頻電路的開發(fā)挑戰(zhàn)。 安森美半導體的1200伏(V)、80毫歐(mΩ)、SiC MOSFET是強固的，符合現代高頻設計的需求。它們結合高功率密度及高能效的工作優(yōu)勢，由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。這些特性使需要的熱管理更少，進一步減少物料單(BoM)成本、尺寸和重量。 新器件的關鍵特性和相關設計優(yōu)勢包括領先同類的低漏電流、具低反向恢復電荷的快速本征二極管，從而大大降低功耗，支持更高頻率工作和更高功率密度，低導通損耗(Eon)及關斷損耗(Eoff) / 快速導通及關斷結合低正向電壓降低總功耗，因此減少散熱要求。低電容支持以很高頻率開關的能力，減少惱人的電磁干擾(EMI)問題；同時，更高浪涌、雪崩能力和強固的短路保護增強整體強固性，提高可靠性和延長總預期使用壽命。 安森美半導體新的SiC MOSFET另一獨特的優(yōu)勢是具有專利的終端結構，增加了可靠性和強固性，并增強了工作穩(wěn)定性。NVHL080N120SC1設計用于承受高浪涌電流，并提供高的雪崩能力和強固的短路保護。符合AEC-Q101的MOSFET及其它SiC器件，確保可充分用于因日增的電子含量和電動動力總成而興起的越來越多的車載應用。175℃的最高工作溫度適合汽車設計，以及高密度和空間限制推高典型環(huán)境溫度的其他目標應用。 安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁兼總經理Gary Straker就新的SiC MOSFET的推出和公司寬禁帶生態(tài)系統的總體增強說：“最重要的應用和當前的大趨勢越來越要求超越常規(guī)硅器件的全方面性能。安森美半導體全面的SiC產品陣容因這兩款新MOSFET的推出而增強，并由含一系列工具和資源的生態(tài)系統支持，說明我們不僅可提供完整的寬禁帶器件方案，還可引導工程師通過開發(fā)和導入設計流程實現預期功能的、具性價比、高可靠性及長使用壽命的方案。” |
