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LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點 美光科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代移動設備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。 美光 LPDDR4X基于 UFS多芯片封裝 (uMCP4)，滿足了移動設備制造商對于低功耗以延長電池壽命，以及更小尺寸、纖薄設計、有吸引力的設備外形的需求。美光已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其 LPDDR4X 和 uMCP4，引領行業(yè)向 1z 納米工藝節(jié)點過渡。 “數(shù)據(jù)密集型移動應用程序不斷推動著消費者對于大容量內(nèi)存和存儲的需求，這種需求不僅出現(xiàn)在旗艦智能手機中，而且出現(xiàn)在中高端移動設備中，”美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Raj Talluri 博士表示，“新一代 16Gb LPDDR4X 旨在滿足當今數(shù)據(jù)密集型應用程序的需求，同時確保滿足未來邊緣端高級人工智能處理和高帶寬 5G 應用的需求。” 美光 LPDDR4X 在同等尺寸條件下為分立式設計和低功耗多芯片封裝提供了更高的密度，以滿足更廣泛的智能手機用戶群體的需求。新興的 5G 移動技術(shù)需要一個能夠提供更高數(shù)據(jù)率和實時數(shù)據(jù)處理的內(nèi)存子系統(tǒng)，從而為移動設備用戶提供絕佳的體驗。 美光1z 納米 LPDDR4X 產(chǎn)品具備業(yè)界最低的能耗，同時保持了LPDDR4 最高的時鐘頻率，高達 4,266兆位/秒 (Mbps)。與上一代針對 4K 視頻播放等內(nèi)存密集型應用的解決方案相比，美光1z 納米 LPDDR4X的能耗降低了 10%。LPDDR4X作為目前業(yè)內(nèi)最高容量的單片式 16Gb LPDDR4X 裸晶（單個封裝中堆疊多達 8 個裸晶），與前幾代 LPDDR4相比，可在不增加封裝尺寸的條件下，實現(xiàn)內(nèi)存容量的翻倍。 美光 LPDDR4X 內(nèi)存解決方案現(xiàn)已批量供貨，提供分立式解決方案和八種不同配置的基于 UFS 的多芯片封裝 (uMCP4)，可選擇范圍從 64GB + 3GB組合至 256GB + 8GB組合。uMCP4滿足了日益增長的中高端市場對于類似旗艦智能手機性能的內(nèi)存需求。 |
