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器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 mΩ，FOM降至172 m*nC，均為業內最佳水平 Vishay推出新型-30 V p溝道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻達到業內最低的3.5 mΩ。于此同時，導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET在開關應用的重要優值系數（FOM）為172 m*nC，達到同類產品最佳水平。節省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝的相似導通電阻器件減小65 %。 
日前發布的MOSFET導通電阻比上一代解決方案低26 %，比市場上排名第二的產品低35 %，而FOM比緊隨其后的競爭器件低15 %。這些業內最佳值降低了導通和開關損耗，從而節省能源并延長便攜式電子設備的電池使用壽命，同時最大限度降低整個電源路徑的壓降，以防誤觸發。器件緊湊的外形便于安裝在PCB面積有限的設計中。 行業標準面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級5 V至20 V輸入電源應用中的現有器件。該MOSFET適用于適配器和負載開關、反向極性保護、電池供電設備電機驅動控制、電池充電器、消費類電子、計算機、電信設備等。 器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。 SiSS05DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周，視市場情況而定。 |
