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2018年中國進口了超過900億美元的存儲芯片，這其中三星電子、SK海力士和美光電子三分天下，而國內廠商的份額為——0％。DRAM憑借體積小、價格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等特點，一直是適用于內存最好的介質。幾乎占據了中國存儲的半壁江山，特別是更細分的存儲市場如SRAM芯片，pSRAM芯片等，幾乎被ISSI，cypress長年占據高達80%以上的市場份額，隨著中國市場對產品國產化的要求，越來越多的工控廠商，國企單位針對IS61LV25616芯片要求替換為國產化的SRAM芯片的趨勢越來越明顯。 英尚微電子推出一款針對IS61LV25616芯片進行兼容替換的XRAM存儲器芯片，型號XM8A25616V33A，容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM，工作電壓采用寬電壓 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速讀取速度，XM8A25616V33A提供二個封裝選項：48球FBGA和44管腳TSOP (II)，客戶可根據自身的應用需求來選擇最適合的封裝方案，XM8A25616V33A結合先進工藝結合XRAM存儲器特有的XRAM免刷新專利技術，在大容量，高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM，同時具有較低功耗和更低的成本，并且與所有同類型SRAM產品硬件完全兼容，可以稱為國產SRAM芯片，滿足各種應用系統對高性能和低成本的要求。 XM8A系列型號表
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| 英尚微電子推出一款針對IS61LV25616芯片進行兼容替換的XRAM存儲器芯片，型號XM8A25616V33A，容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM，工作電壓采用寬電壓 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速讀取速度， |
| XM8A25616V33A提供二個封裝選項：48球FBGA和44管腳TSOP (II)，客戶可根據自身的應用需求來選擇最適合的封裝方案 |
| XM8A25616V33A結合先進工藝結合XRAM存儲器特有的XRAM免刷新專利技術，在大容量，高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM，同時具有較低功耗和更低的成本，并且與所有同類型SRAM產品硬件完全兼容，可以稱為國產SRAM芯片，滿足各種應用系統對高性能和低成本的要求。 |
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