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2018年中國進(jìn)口了超過900億美元的存儲芯片，這其中三星電子、SK海力士和美光電子三分天下，而國內(nèi)廠商的份額為——0％。DRAM憑借體積小、價格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等特點(diǎn)，一直是適用于內(nèi)存最好的介質(zhì)。幾乎占據(jù)了中國存儲的半壁江山，特別是更細(xì)分的存儲市場如SRAM芯片，pSRAM芯片等，幾乎被ISSI，cypress長年占據(jù)高達(dá)80%以上的市場份額，隨著中國市場對產(chǎn)品國產(chǎn)化的要求，越來越多的工控廠商，國企單位針對IS61LV25616芯片要求替換為國產(chǎn)化的SRAM芯片的趨勢越來越明顯。 英尚微電子推出一款針對IS61LV25616芯片進(jìn)行兼容替換的XRAM存儲器芯片，型號XM8A25616V33A，容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM，工作電壓采用寬電壓 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速讀取速度，XM8A25616V33A提供二個封裝選項(xiàng)：48球FBGA和44管腳TSOP (II)，客戶可根據(jù)自身的應(yīng)用需求來選擇最適合的封裝方案，XM8A25616V33A結(jié)合先進(jìn)工藝結(jié)合XRAM存儲器特有的XRAM免刷新專利技術(shù)，在大容量，高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM，同時具有較低功耗和更低的成本，并且與所有同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容，可以稱為國產(chǎn)SRAM芯片，滿足各種應(yīng)用系統(tǒng)對高性能和低成本的要求。 XM8A系列型號表
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| 英尚微電子推出一款針對IS61LV25616芯片進(jìn)行兼容替換的XRAM存儲器芯片，型號XM8A25616V33A，容量4Mbit (256K×16/512K×8) Asynchronous XRAM，工作電壓采用寬電壓 2.2 V to 3.6 V, 10/12 ns的高速讀取速度， |
| XM8A25616V33A提供二個封裝選項(xiàng)：48球FBGA和44管腳TSOP (II)，客戶可根據(jù)自身的應(yīng)用需求來選擇最適合的封裝方案 |
| XM8A25616V33A結(jié)合先進(jìn)工藝結(jié)合XRAM存儲器特有的XRAM免刷新專利技術(shù)，在大容量，高速性能和高可靠性方面完全可以匹敵同類SRAM，同時具有較低功耗和更低的成本，并且與所有同類型SRAM產(chǎn)品硬件完全兼容，可以稱為國產(chǎn)SRAM芯片，滿足各種應(yīng)用系統(tǒng)對高性能和低成本的要求。 |
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