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鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM主要結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點。非易失性內存是苛刻環境下具備高可靠性的汽車和工業應用的理想之選。 富士通去年發布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit，滿足用戶對更高容量的需求，配有SPI接口，工作電壓為1.8V至3.6V。 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。 這款FRAM產品采用業界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現有類似引腳的EEPROM。還提供8-pin DFN（無引線雙側扁平）封裝。  圖1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部・底部） 關鍵規格 組件型號：MB85RS4MT 容量（組態）：4Mbit（512Kx8位） 接口：SPI（Serial Peripheral Interface） 運作頻率：最高50MHz 運作電壓：1.8V-3.6V 運作溫度范圍：-40°C-+125°C 讀/寫耐久性：10兆次（1013次） 封裝規格：8-pin DFN，8-pin SOP 這款全新富士通鐵電RAM是非易失性內存產品，高溫125℃的環境下可以達到10兆次讀/寫次數，工作電流低，是工業機器人和高級駕駛輔助系統（ADAS）等汽車應用的最佳選擇。 由于這款FRAM存儲器工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大掉電模式電流為30μA，因此有助于降低環境敏感應用的功耗。 這款全新FRAM在-40℃至+125℃溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數，適合某些需要實時數據記錄的應用。例如每0.03毫秒重寫一次數據，同一地址連續記錄數據可達10年之久。 圖2：FRAM應用例子 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，并已量產20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業機器人和無人機。 富士通Serial FeRAM
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