 XRAM是一種新的內(nèi)存架構(gòu)，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM.XRAM使用先進的DRAM技術(shù)和自刷新架構(gòu)來顯著提高內(nèi)存密度，性能并簡化用戶界面。 XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲器接口。星憶存儲代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。 特征 •異步XRAM內(nèi)存 •高速訪問時間 •tAA=10/12納秒 •低有功功率 •ICC=80 mA時為55 mA •低CMOS待機電流 •ISB2=20 mA（典型值） •工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V •取消選擇時自動掉電 •TTL兼容的輸入和輸出 •提供44引腳TSOP II，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝 44引腳TSOP II引腳排列 48引腳TSOP I引腳排列 要寫入設(shè)備，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設(shè)為低電平。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則來自I / O引腳（DQ0至DQ7）的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。如果字節(jié)高使能（BHE）為低電平，則來自I / O引腳（DQ8至DQ15）的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設(shè)為低電平，同時將寫入使能（WE）設(shè)為高電平。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則地址引腳指定的存儲器位置中的數(shù)據(jù)將出現(xiàn)在DQ0至DQ7上。如果字節(jié)高使能（BHE）為低，則來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ8到DQ15上。 取消選擇器件（CE），禁用輸出（OE HIGH），禁用BHE和BLE（BHE，BLE HIGH）或以下操作時，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)寫操作（CE和WE LOW）。突發(fā)模式引腳（MODE）定義突發(fā)序列的順序。當(dāng)置為高電平時，將選擇交錯的突發(fā)序列。當(dāng)拉低時，選擇線性突發(fā)序列。 國產(chǎn)SRAM XM8A系列型號表 
XM8A51216V33(8M).pdf
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